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射频磁控溅镀氧化铟镓锌薄膜之光机电特性检测 - 逢甲大学.PDFVIP

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射频磁控溅镀氧化铟镓锌薄膜之光机电特性检测 - 逢甲大学

射頻磁控濺鍍氧化銦鎵鋅薄膜之光機電特性檢測 葉俊緯、田春林* 、李柏為 、林泓逸 、陳柏志 逢甲大學電機工程學系 Abstract — Transparent conductive oxide (TCO) 這個領域卻鮮少被注意到,Mohammed[4]等人成功地將 has excellent optical and electrical properties. In this IGZO 薄膜沉積於 PET 基板上,並發現若薄膜之殘留應 study, we use radio frequency (RF) magnetron 力過大,可能會造成基板彎曲、薄膜破裂等現象,進而 sputtering method to deposit indium gallium zinc oxide 直接影響薄膜製程的良率,此些現象對於光學元件之性 (IGZO) thin films by varying different RF powers (40-90 能會造成大大的影響,並且會使其壽命與耐用度受到影 W). The influence of RF power on the optical, electrical 響;表面粗糙度亦會影響薄膜之品質,若薄膜之表面太 and mechanical properties was investigated. A UV-VIS 過於粗糙,則會造成嚴重的散射,並影響其反射及透光 spectrometer was used to measure optical spectrum and 率大小,一般來說高品質之薄膜會要求粗糙度極小,以 a four-point probe system was used to measure the electrical resistivity. The residual stress in IGZO thin 避免因散射所造成的光學損耗。若要提升薄膜之品質及 films was determined by a homemade Twyman-Green 性能 ,探討薄膜之殘留應力、表面粗糙度、電性及穿透 interferometer. The surface roughness was measured by 率是必要的。 the Michelson microscopic interferometer. The experiment results show that the refractive index of the 二、 研究方法 IGZO thin films increased slightly, sheet resistance and 2.1 薄膜應力 residual stress decreased with increasing the RF power (40-90W). 在薄膜沉積過程中即使沒有受外力影響,薄膜還是 存在著殘留應力,這種薄膜應力被稱為殘留應力或內應 Keywords: Radio frequency magnetron sputtering, 力[5] 。薄膜應力如果太大則會導致基板彎曲、變形等狀 residual stress, refractive index, surface roughness 況,使薄膜容易產生剥離、皺褶、龜裂等現象。薄膜殘 留應力可分為張應力與壓應力兩種,在製鍍過程中,若 摘要 — 透明導電氧化物薄膜(TCO)具有優良之物理特 薄膜結構趨向於鬆散使薄膜向內彎曲形成凹面,則稱為 性,而製程參數對於其薄膜特性有顯著影響。本研究利 張應力(Tensile

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