DIT(TSCLC) 理论基础说明.pptVIP

Page * HTTR 北京華通 台北廣集 DIT(T-SCLC)理论基础说明 GSI/HTTR 2013 Oct. 说明 1.DIT:Dark Injection Transient 或 T-SCLC: Transient-SCLC 或 DI-SCLC: Dark Injection-SCLC 2.当注入电压比较高时，有效减缩了注入载子与电极之间距离而增强电场强度，因此短时间内形成高电流密度峰值。随着长时间此峰值衰退达到稳定平衡SCLC值电流密度。将峰值与SCLC值相比，提供了极有价值Trap动态分析。 3.DIT与TEL，IS(AS)都是瞬态量测技术，不同可以决定载子迁移率与TOF量测结果相符。更进一步提供作为分析有机材料器件动能机制（Trap, Accumulation, Recombination, Quench, Leakage current） 4.比较香港Baptist 大学与英国NPL对于DIT文章，从正反两面都可以明确指出目前DIT量测技术，雖有进化的空间，但都能与TOF保持高度相符，迁移最大最小值落在两倍之内，具备高可靠性。 5.我们建议针对迁移率提取及有机器件材料动態分析，可以採取多种瞬态量测技术(TEL,DIT/T-SCLC,IS/AS )交互使用，互相求証深入分析。 Page * HTTR 北京華通 台北廣集