砷化镓晶圆接合介面观察以及接合介面随温度变化和电性的关系21 .PDFVIP

二、砷化鎵晶圓接合介面觀察以及接合介面隨溫度變化和電性的關係 2.1. 研究背景回顧以及溫度對於砷化鎵半導體電性之影響 以砷化鎵為主的化合物半導體光電元件是被應用廣泛的一種半導體，包括了高 速 高頻元件、發光元件以及光學通訊發光源/ 等等重要的應用。為了發展更前瞻且 複雜的光電元件，兩層 (2-layer)的三五族化合物半導體的晶圓接合已經被研究一 段時間了［ 1-3 ］，當然砷化鎵材料被是應用最廣泛的，多層砷化鎵晶圓接合已被應 用在一些非線性光學的元件上［ 4 ］。然而，這些高溫接合製程衍生出的缺陷經常會 影響其元件應用，所以，瞭解這些高溫製程所生成的缺陷是必要的。 2.1.1. 砷化鎵化合物半導體基本特性 1. 晶體結構 砷化鎵化合物半導體是屬於閃鋅礦結構 (Znicblende structure)如 2.1圖所示 ，其晶格常數 (Lattice constant) 為 0.565 nm ，圖中指出是砷原子佔據面心 ［5 ］ 立方 (FCC)的位置，而鎵原子相對這位置平移了 (1/4 a + 1/4 b + 1/4 c ; a, b, c 代表三軸 ) ，而這位置其實就是面心立方體 (Face Center Cubic; FCC) 四面體間 隙的位置。事實上，這結構與矽半導體幾乎一樣，只不過這結構中所有的位置 都被矽原子佔據，一般稱為鑽石結構 (Diamond structure) ，另外，這兩種結構 同屬為立方晶系。 2. 光電性質 砷化鎵與矽兩半導體最大的不同就屬光電特性的差異，而與材料光電特性息 息相關的就屬電子能隙 (Energy band gap) 。圖2.2就是電子能量 -波向量 (E-k) 的關係圖，圖 2.2(a) 導電帶能量最低處與價電帶能量最高處為同一個波向量， 這種能隙稱為直接能隙 (Direct energy band gap) ，電子電洞可以在同一向量作- 再結合 (Recombination) ，所以直接能隙的材料會因此行為發光，砷化鎵就屬這 類材料。然而，圖 2.2(b) 稱為間接能隙 (indirect energy band gap) ，矽是屬於間 接能隙材料，此種間接能隙材料無法直接作電子電洞再結合，要作再結合必須- 再利用聲子 (Phonon)作協助，因此矽是屬於不會發光的材料。 - 40 - 3. 電子特性 電子特性也是與能帶結構 (Band structure) 有關係，一般來說砷化鎵的電子 遷移率 (Electron mobility)約是矽的六倍，電子飄移速率(Drift velocity)也比矽來 的高，另外砷化鎵的能隙 (Band gap) 亦比矽來的高，這些特性常使砷化鎵被應 用來製作低雜訊的功率放大器、高頻微波元件 以及人造衛星上的電子元件。並 且，砷化鎵半導體可以製作高阻值的半絕緣晶片(109 Ω-cm) ，若是砷化鎵不摻 雜，就是所謂的半絕緣（Semi-insulator ）的半導體，因此電子高頻元件可以得 到很好的絕緣。然而，砷化鎵缺乏一個穩定的氧化層，但矽具有一個非常穩定 的氧化層 -二氧化矽，這氧化層可以被用來製作金屬氧化物- -半導體電晶體，並 且，矽半導體可製作積集度非常高的電子元件積體電路- (Integrated circuit) ，這 也是為什麼矽半導體會在現今電子工業使用得如此頻繁的原因。 2.1.2. 砷化鎵在高溫製程下的缺陷 晶圓接合的製程一般都是在高溫執行的，其目的不