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ti3 sic 导电陶瓷粉体的制备 - 东北电力大学
第36卷第6期 东 北 电 力 大 学 学 报 Vol.36,No.6
2016年12月 Journal Of Northeast Dianli University Dec. ,2016
- - -
文章编号:1005 2992(2016)06 0105 03
Ti SiC导电陶瓷粉体的制备
3
于明志
(东北电力大学 工程训练中心,吉林 吉林 132012)
=
摘 要:将单质粉体Ti,Si和C作为实验原料,按着原子配比(Ti ∶ Si ∶ C 3 ∶ 1 ∶ 2)将原料粉体称
量混合后,利用高能球磨机和放电等离子设备进行Ti SiC导电陶瓷粉体的制备。 通过机械合金化工艺
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(球磨转速550rpm,球料比10 ∶ 1,磨球直径12mm)球磨10h,生成以Ti SiC为主晶相的混合粉体,其中
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Ti SiC含量为83%,同时研究了放电等离子温度对混合粉体中Ti SiC的含量和形貌的影响。 研究表明:
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利用放电等离子工艺可提高球磨粉体中的Ti SiC含量,当烧结温度为1000 ℃时,球磨粉体中Ti SiC 的
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含量达到99.1%,球磨粉体的组织形貌也以Ti SiC的典型层片状为主。
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关 键 词:Ti SiC;导电陶瓷;机械合金化
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中图分类号:TG148 文献标识码:A
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- =
Ti SiC是一种新型三元层状化合物,Ti SiC 属六方晶系,空间群为D P6 / mmc,晶格参数为a
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= -
0.3068nm,c 1.766nm;其中Ti C为共价键结合,即结合键力较强,赋予材料高熔点、高模量等性能,
-
[1 3]
而Si原子层内部及
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