以常压热化学气相沉积法由乙炔成长奈米碳管之研究 - ctuedutw.doc

類鑽碳/矽異質接面二極體之研製 黃勝斌1 洪昌佑2 1建國科技大學電機工程系副教授 E-mail: sbhwa@ctu.edu.tw 2建國科技大學電機工程研究所 研究生 摘　要 本文利用甲烷在電子迴旋共振化學氣相沈積(ECR-CVD)鑽碳（Diamond-like Carbon, DLC）膜，使用拉曼光譜儀分析薄膜鑽碳膜鑽碳膜關鍵詞：Abstract Diamond-like carbon (DLC) films were prepared by ECR-plasma decomposition of methane in this study. The films have been characterized by Raman spectroscopy. Electrical conduction of Al/DLC/silicon/Al heterostructures has also been investigated. The thickness of the DLC films is about 200nm. It is shown that both DLC/p-Si and DLC/n-Si systems show rectifying properties by the current-voltage characteristics of devices. We also report the influence of substrate RF-bias power and temperature on the diode’s characteristics. By taking the DLC to be an N- semiconductor, it is possible to treat the diode characteristics as arising from the presence of a DLC/Si heterojunction. Key Words: Diamond-like carbon (DLC), heterojunction, ECR-CVD 1. 前言 DLC具有類似鑽石的優異性質，如：高硬度良好的熱傳導性對酸、鹼、熱有很好的抵抗能力，以及高崩潰電場，卻免除鑽石高溫、高壓製備的缺點，由於其非晶質的結構其表面平整度可達奈米級範圍，使其在相對運動下避免對磨材磨損；再者類鑽碳膜可在低溫下利用物理和化學蒸鍍法製作，因此可被覆於塑膠和鋁等對溫度敏感的基板上，使其應用範圍大幅提升；而且類鑽碳膜可經由加入適量的硼或磷來調整其性質，製程控制上更為方便。 在研究鑽石薄膜之前，我們必須以拉曼光譜先對鑽石與石墨有所了解天然石墨單晶在1580cm-1 處有一個拉曼峰值，我們稱之為”G”-peak，此震盪模式與碳原子sp2 鍵結相關。對於多晶石墨（polycrystalline graphite）而言，由於晶格大小的改變與影響，使得在1357 cm-1 處，會產生第二個峰值，稱之為無序峰，或稱為”D”-peak（disorder）[3]。本實驗進行拉曼散射的實驗，當晶格材料的有序性被破壞時，由於鍵結角度的扭曲使得”D”-peak 位移至較低的波數（wavenumber）[4-5]，且”G”-band 的位置往低頻遷移，而且中心位置低1580cm-1[6]，Beeman 等人[7-8]在進行類鑽碳膜的拉曼光譜研究時發現，類鑽碳中sp3 鍵結的原子位置增多時，會使得”G”-band 往低頻的方向移動，當Richter 等人對”G”-band 作理論計算後，為”G”-band 頻譜的位移，是由於sp3 鍵結比例的變化，而造成了離子間力常數的改變[7]，但是當我們在討論DLC 的拉曼光譜時，較少討論”D”-band，因為”D”-band 附近有太多的含碳物質出，所以分析其所疊合的譜線頗為不易，一般僅將”D”-band 與”G”-band的強度作比較（即ID/IG），由文獻中我們知道ID/IG 的比值與有效晶格成反比[8]， 當拉曼光譜的ID/IG 逐漸變小時，這代表著有缺陷的晶格逐漸減少。 類鑽碳擁有SP3以及SP2結構，電子的傳輸機制主要來自SP2結構，SP2結構有許多懸浮鍵或氫原子摻雜等缺陷，電子經由熱活化傳導沿著膜中的缺陷跳躍傳輸。而薄膜經由摻雜以及加熱使膜中SP2結構中缺陷增加電子傳導路徑也跟著增加[9]。 本研究選擇使用電子迴旋共振化學氣相沉系統(electron cyclotron resonance chemical vapor deposition,ECR-CVD)類鑽碳膜通入反應氣體甲烷(CH4)，並改變偏壓(RF)及成長溫度(T)方式成長類鑽碳膜。類鑽與矽異接面二極體，探