内部寄存器组、高速缓冲存储器.ppt

存储器、外设与CPU的连接 (1)80486有三种工作方式:实模式(实地址方式),保护模式(保护虚地址方式),虚拟8086方式,三种方式可以互相转换 (2)实模式下,段寄存器存放的是段基址,由该段基址×16再与偏移地址相加得到物理地址 (3)保护模式下,段寄存器存放的是段选择符,段基址存放在描述符表中,由段选择符(D15-D3)得到索引号去查描述符表得到段基址 描述符表分为全局表(GDT)和局部表(LDT),由D2选择,D1D0表示访问权限 查出的段基址与偏移量直接相加得到物理地址 全局表(GDT)和局部表(LDT)在内存中的位置由GDTR和LDTR决定. * 第五章 存储器及存储管理 第一节 分级存储器系统 第二节 内存储器的构成原理 第三节 虚拟存储器及存储管理 第四节　高速缓冲存储器 第一节 分级存储器系统 微机大都采用分级结构来组织存储器系统，如图所示。存储器从内到外分为四级：内部寄存器组、高速缓冲存储器、内存储器和外存储器。它们在存取速度上逐级递减，在存储容量上逐级递增。 分级存储器系统 内部寄存器组:对其读写速度最快，可减少微处理器访问外部的次数，但数量不可能很多。 高速缓冲存储器:用于装载当前程序和数据，使微处理器能以最高的速度工作。 内存储器：运行的程序和数据都放在其中。 外存：如软盘、硬盘、光盘等，其存取速度比内存要慢得多。 第二节 内存储器的构成原理 一、存储器芯片的接口特性 了解存储器芯片的接口特性，实质上是了解它有哪些信号线，以及这些信号线与总线的连接方法。 1、EPROM 的接口特性 典型的EPROM芯片有Intel公司的2716、2732、2764、27128、27256、27512等。 2、E2PROM的接口特性 E2PROM的突出特点是可以在线进行以字节为单位的读写。 典型E2PROM产品有Intel公司的2816、2817和2816A、2817A、2864A等。 3、SRAM的接口特性 典型的SRAM芯片产品有2128、6116、6132、6232、6164、6264、3264、7164、61256、71256、5C 256、64C512、74512。 4、DRAM的接口特性(组合随机存取存储器IRAM IRAM是将刷新逻辑电路和DRAM集成在一起，具有动态RAM集成度，又不要刷新 ) 二、内存储器的设计 内存储器的设计，一般包括以下三项工作：存储器结构的确定，存储器芯片的选择，存储器的连接。 1、存储器结构的确定 存储器结构的确定，主要指采用单存储体结构还是多存储体结构。 ●数据宽度为8位外部数据总线为8位的微处理器，其存储器只需用单体结构。 ●外部数据总线为16位的微处理器，一般需用两个8位存储体。 ●对于80486等32位微处理器，一般使用4个由字节组成的存储体。 2、存储器芯片的片选控制 根据对高位地址总线的译码方式，有线选法、局部译码法和全译码法三种片选方法。 80286微处理器的存储器结构 80386/80486微处理器的存储器结构 ●线选法：将高位地址线直接作为各个存储器芯片的片选控制信号。 ●局部译码法：对高位地址总线中的一部分（而不是全部）进行译码，以产生各存储器芯片的片选控制信号。 ●全译码法：高位地址线全部译码，译码输出作为各芯片的片选信号。 3、存储器连接 存储器连接通常可按下列步骤进行： （1）根据系统实际装机存储容量，确定存储器在整个存储空间 中的位置。 （2）选择合适的存储芯片。 （3）根据地址分配图或表及选用的译码器件，画出相应的地址 位图，以此确定“片选”和片内单元选择的地址线，进而画 出片选译码电路。 （4）画出存储器总线的连接图。 例1：内存容量或地址范围的确定 （1） A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0000----07FFH 2K （2） A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0800----0FFFH 2K ? 共4K字节容量 例2：使