电子束蒸发制备抗激光损伤ZrOlt2gtSiOlt2gt膜系及表面特征研究.pdfVIP

电子束蒸发制备抗激光损伤ZrO。／SiO。膜系及表面特征研究 接 要 光学薄膜的抗激光损伤闽德对激光技术而言具有重大的意义。论文通过分 常商的光学非线髓系数和抗激光损伤阈值。选用具有较离化学稳定能和抗激光 损伤阁值的ZrO。和SiO。作为高低折射率搭配的膜材。采用菲涅尔公式作为膜系 设诗麴理论基礁，蒡磐耀EssentialMacLeod软譬}进行膜系竣诗，然矮针对袋 层驻波场的影确对膜系进行了优化，得出了比较合理的溺层增透膜系。采用了 电子束蒸发来制备薄膜，并采用了离子束辅助沉积技术和后期对薄膜进行真空 运火处理。在薄袋越冬过程孛，捷餍Ic／5蘸滚貘霉控毒g仪怼薄貘款蓼≤袄迸孬实 时监控，提高了镀膜精度。 采用了“1对l测试”的方法，使用YAG激光系统对薄膜的抗激光损伤阈值 进行了溅试，褥爨了不曩基冀鸯霸热湿度襄不溺毒《冬条传下薄膜夔损伤足率遗线， 得出基片加热温魔在600。C且嫒过真空退火处理的薄膜比其他制备条件下的薄 膜具肖更高的抗激光损伤阈值，篡在激光能墩密度65J／cm2左右时损伤儿搴达到 ％和透射率高于90％，这与膜系设计的理论值相符合。 泰辏麓滚较与嚣麓豹囊空退火魏理麓薄貘缀缀结棱缺陷较大，获含杂璇较多， 表颟粗糙度和填隙密度低；采用了离子束辅助沉积的薄膜艟提高薄膜填隙密度， 使薄膜与基片的结合度更好，提高了ZrO。膜村的折射率，使得薄膜的透射率提 离，餐裹戆枣子蹿墓片稻薄貘鹃轰毒迄使鏊嚣孛匏多量毽矿+离子扩散嗣膜层孛 形成新的杂质影响了薄膜的抗激光损伤闺值；经过真空退火处理的薄膜能够很 好的使得薄膜中吸附的02与水蒸汽解吸放出，减少了薄膜中所含杂质弗且退火 处缓傻褥薄貘寄纛结晶趋势俊鬣二了薄蔟豹缀织结构，这帮使褥薄膜熬撬激竞损 伤闽值得到了提掰。 关键酒； 电子慕蒸发；离子寐辅秘沉获；真宝潺火；1对{溯试；撬激光羰伤溺值； A onthe filmsof laserinduced study ZrO∥Si02high damage threshold e-beam preparedby evaporating Abstraet Thelaserinduced threshold filmshasthe tothe damage ofoptical hi酶meaning laser asthesuhstrate borate(§一BaB204)wasprepared by technology．Beta-barium researchedand because簖itslaserinduced thresholdand analysed high dmnage hi酶 nonlinear werechosenasthematerialsoffilms optical coefficient。硒andSi02 duetotheir chemical and laserinduced hi|gh durabilityhigh damage ontheFresnelFommtae．theMacload the fihns％vere withthe harmonicsanti-reflectionfilms。The Zr02／Si。。second optimized ofthe