碳化硅粒径分布对单晶硅线切割的影响.pdfVIP

第 17卷 第 1期 V0I．17No．1 2011年 2月 Feb．2011 碳化硅粒径分布对单晶硅线切割的影响 孙守振 ，王林勇，奚西峰 (西安交通大学 能源与动力工程学院，陕西 西安 710049) 摘要 ：研究不同粒度分布的碳化硅磨料对线切割硅片表面损伤的影响， 径分布对单 晶硅线切割的影响研究逐步 引起了人们 利 用激光粒度仪和扫描 电镜对切割前后碳化硅粒径 的变化及切割后硅 的重视 。 片的形貌进行表征 ，通过实际切割过程分析，指 出粒度分布不均引起 多线切割中使用的是切割液和碳化硅混合成游 的局部切割堵塞而导致的垂直于切割方向的左右侧滑振动 ．是导致表 面损伤的主要原因。结果表明：当碳化硅 的粒度分布窄时，线切割硅 片 离态稳定悬浮剂——砂浆 ，其在切割过程中起主要作 祭№ 表面损伤层浅．表 面粗糙度小 用。砂浆是被切割线的往复运动带到切割区域 ，碳化 中 关键词：磨料 ；碳化硅：粒径分布 ：线切割 硅颗粒在切割线高速运动下，通过滚压、镶嵌 、刮擦过 国 中图分类号 ：TB44 文献标 志码 ：A 程完成切割。对于硅片表面的损伤机理研究，中外学 文章编号 ：1008—5548(201l】O1．0052—04 者侧重于切割线的振动 、线 的张力 、液膜 的厚度等方 粉 面 ，而没有涉及到磨粒的粒径分布影响。本文中着重 体 EffectofSizeDistributionofSiC Particles 研究磨粒切割前后的粒径分布变化 ，结合不同粒径碳 技 onSiliconCrystalsW ireSawingProcess 化硅切割实验硅片表面损伤结果 。建立碳化硅磨粒非 术 刚 正常切割的机理模型 ，并提出单晶硅片切割对碳化硅 № ∞ SunShouzhen，WangLinyong，Xi ng 磨粒的具体要求。 (SchoolofEnergyandPowerEngineering，Xi’anJiaotongUniversity Xi’an710049，China) l 多线切割机结构与切割原理 Abstract：The1nfluenceofdifferentSIZedistributionofSiC particleson 图 l一2分别是多线切割的机制图和局部切割示 thewafersurfacedamagewasinvestigatedbymeansofthetechniqueof 意图 。整个系统由供线轮 、收线轮 、供给张力滑轮、回 laserparticleanalyzerandscanningelectronmicroscope (SEM)．The naalysisbyactuallycuttingprocessindicatedthatthesiliconwafersurface damageprimarilyresultedfrom side