半导体器件认知实验概要1.ppt

N沟道增强型MOS管的工作原理 N沟道增强型MOS管的工作原理 图（a） 1．vGS对iD及沟道的控制作用 MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。从图（a）中可以看出，增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。 当栅-源电压vGS=0时，即使加上漏-源电压Vds，而且不论Vds的极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道，所以这时漏极电流iD≈0。 N沟道增强型MOS管的工作原理 图（b） 若在栅-源极间加上正向电压，即vGS＞0，则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场，这个电场能排斥空穴而吸引电子，因而使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层，同时P衬底中的电子（少子）被吸引到衬底表面。 当vGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏-源极之间仍无导电沟道出现，如图(b)所示。 N沟道增强型MOS管的工作原理 图（c） vGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多，当vGS达到某一数值时，这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏-源极间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，故又称为反型层，如图(c)所示。vGS越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。我们把开始形成沟道时的栅-源极电压称为开启电压，用VT表示。 由上述分析可知，N沟道增强型MOS管在vGS＜VT时，不能形成导电沟道，管子处于截止状态。只有当vGS≥VT时，才有沟道形成，此时在漏-源极间加上正向电压vDS，才有漏极电流产生。而且vGS增大时，沟道变厚，沟道电阻减小，iD增大。这种必须在vGS≥VT时才能形成导电沟道的MOS管称为增强型MOS管。 半导体器件认知实验 半导体器件认知实验 MOS与CMOS晶体管 反相器电路 半导体器件认知实验 集成电路示例——振荡器 半导体器件认知实验 无源像素被动式传感器（PPS） 有源像素主动式传感器（APS） 半导体器件认知实验 Pulsed bipolar CMOS imager 半导体器件认知实验 TC5747 camera chip CMOS imager N阱双层多晶硅双层金属CMOS工艺 (A) N 阱 (B) N 阱 + 有源区 (C) N 阱 + 有源区 + 多晶硅 (D) N 阱 + 有源区 + 多晶硅 + N 区离子注入 N阱双层多晶硅双层金属CMOS工艺 （E） N 阱 + 有源区 + 多晶硅 + N 区离子注入 + P 区离子注入 （F） N 阱 + 有源区 + 多晶硅 + N 区离子注入 + P 区离子注入 + 有源区接触孔 （G） N 阱 + 有源区 + 多晶硅 + N 区离子注入 + P 区离子注入 + 有源区接触孔 + 多晶硅接触孔 N阱双层多晶硅双层金属CMOS工艺 （H） N 阱 + 有源区 + 多晶硅 + N 区离子注入 + P 区离子注入 + 有源区接触孔 + 多晶硅接触孔 + 金属1 （I） N 阱 + 有源区 + 多晶硅 + N 区离子注入 + P 区离子注入 + 有源区接触孔 + 多晶硅接触孔 + 金属1 + 通孔 （J） N 阱 + 有源区 + 多晶硅 + N 区离子注入 + P 区离子注入 + 有源区 接触孔 + 多晶硅接触孔 + 金属1 + 通孔 +金属2 （K） 以上电路版图构成 了一个CMOS的(二输入端或非门)电路。 N阱双层多晶硅双层金属CMOS工艺 N阱 双层多晶硅 双层金属CMOSIC ---剖面图 * * 半导体器件认知实验 重庆大学光电工程学院微电子实验室 实验目的及内容 一、实验目的 1、通过实验，获得对半导体器件基本的感性认识。 2、通过实验，使同学认识MOS管的基本结构和功能。 3、通过实验，可以使同学了解集成器件的布线及基本功能区域。 二、实验内容 1、利用显微镜观察单管半导体器件及集成器件。 2、利用显微镜观察半导体器件内部MOS管平面结构，分析其立体结构和功能原理。 3、利用显微镜观察集成器件的布线方法及基本功能区域。 一、世界集成电路的发展历史 a）、集成电路的早期情况： ●　 1947年：贝尔实验室肖克莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑； 19