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第一章 導論 1.1 研究背景研究背景 研究背景研究背景 1.1.1 氮化鎵材料簡介 氮化鎵 (GaN)是一種化合物半導體材料 ，由於能隙(band gap)較寬且屬於直接能 隙，所以有可發光的特性 ，一般被廣泛的應用在紫外光到藍綠光等波段的發光或吸 光元件，像是發光二極體(Light Emitting Diode: LED) 、雷射元件(Laser Diode: LD) 、 和光檢測器 (Photo Detector)等。在電性方面 ，GaN 的高崩潰電壓與飽和電流 ，用 來製作元件有高速、低雜訊且可在高溫下操作的特性，這些優於傳統半導體材料矽 (Si)的特性 ，使其成為眾所矚目的研究課題。 然而由於GaN 受限於物理特性 ，熔點的分解壓力大於105 Bar ，如此高的壓力， 使其無法如 Si 一般直接由液相拉晶的方式量產成長大尺寸且高厚度的基板 (substrate) ，因此只能採用異質磊晶的方式，利用其他能隙、晶格常數(lattice constan