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第二讲半导体物理及器件基础试卷.ppt

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PN结 P衬底 N+ P+ PN结在集成电路中的剖面图及电路符号 Anode Cathode 26/50 双极型晶体管 基本结构和分类 N N P P P N 三层结构 NPN晶体管 PNP晶体管 BJT: Bipolar Junction Transistor 27/50 双极型晶体管 发射区 集电区 基区 集电结 发射极 集电极 基极 发射结 Emitter Base Collector (1)两个PN结:发射结、集电结 (2)三个区:发射区、基区、集电区 (3)杂质浓度:发射区基区集电区 (4)窄基区:小于数微米 NPN晶体管 28/50 双极型晶体管 发射结(B-E结):正偏 集电结(B-C结):反偏 输入 输出 发射区 集电区 基区 集电结 发射极 集电极 基极 发射结 共发射极接法 29/50 双极型晶体管 发射区 集电区 基区 发射极 集电极 基极 Ie Ib 载流子输运情况 30/50 双极型晶体管 发射区 集电区 基区 发射极 集电极 自建场方向 Ie 基极 Ib 载流子输运情况 31/50 双极型晶体管 发射区 集电区 基区 发射极 集电极 基极 自建场方向 Ie Ib 电流增益β:通过基区的电流与在基区复合的电流之比。 Ic 载流子输运情况 32/50 双极型晶体管 Vce v.s. Ic Vbe Vce e c b Vce Ic Ib=0 截止区 晶体管特性曲线 Vbe=0 eb结和cb结均反偏,晶体管截止。Ic和Ib均很小。 33/50 双极型晶体管 晶体管特性曲线 饱 和 区 Vce v.s. Ic Vbe Vce e c b Vce Ic Vbe0 Vce较小: eb结和cb结均正偏, Ic随Vce增加而增加。 Vce较大: eb结正偏而cb结反偏, Ic=βIb。 截止区 放大区 Ib1 Ib2 Ib3 Ib4 34/50 双极型晶体管 NPN晶体管在集成电路中的剖面图及电路符号 N+ N+ P-衬底 P N C B E c b e 35/50 MOS晶体管 N MOSFET P MOSFET N+ P Sourse 源极 N+ Gate 栅极 Drain 漏极 P+ N Sourse 源极 P+ Gate 栅极 Drain 漏极 Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 基本结构和分类 36/50 MOS晶体管 NMOS的共源极接法 源极 N+ P N+ 栅极 漏极 漏结 源结 沟道 Channel 37/50 MOS晶体管 NMOS电容 源极 N+ P N+ 栅极 漏极 VGS=0 VDS=0 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - VS=0 38/50 MOS晶体管 空间电荷区 (耗尽区) 源极 N+ P N+ 栅极 漏极 VGS0(小) VDS=0 VGS0(小):栅氧化层下出现空间电荷区(耗尽区) - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - VS=0 NMOS电容 39/50 MOS晶体管 耗尽区 反型层 源极 N+ P N+ 栅极 漏极 VGS↑ VDS=0 VGS增加: 空间电荷向下扩展,栅氧化层下的半导体表面出现多余自由电子,相当于在表面形成一层导电类型相反的半导体层,称为反型层。此时的VGS称为阈值电压VT(0.5V-1.0V)。 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - VS=0 NMOS电容 40/50 MOS晶体管 VGSVT:表面反型程度进一步加深,半导体表面积累更多的电子,同时反型层的屏蔽作用使得耗尽区停止扩展。 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 耗尽区 反型层 源极 N+ P N+ 栅极 漏极 VGSVT VDS=0 VS=0 NMOS电容 41/50 MOS晶体管 阈值电压计算公式 NPN: PNP: 42/50 MOS晶体管 NMOS共源极接法的工作机理 VGSVT,VDS0:漏结耗尽区扩展,使得栅极下方耗尽区宽度从源到漏逐渐增加,晶体管截止,IDS=0。 源极 N+ P N+ 栅极 漏极 VGSVT VDS ID VDS0 IDS 43/50 MOS晶体管 VGSVT,VDS0(小):栅极下方耗尽区宽度从源到漏逐渐增加,而反型层宽度从源到漏逐渐减小,ID随VDS增加而线性增加。 源极 N+ P N+ 栅极 漏极 VGSVT VDS

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