纳米多孔 InP 对氨气的气敏特性研究.pdfVIP

2014年 11月 吉林师范大学学报 (自然科学版) No．4 第 4期 JournalofJilinNormalUniversity(NaturalScienceEdition) NOV．2014 纳米多孔 InP对氨气的气敏特性研究 申惠娟，陈春彩，陈源福 (闽南理工学院基础部，福建 石狮 362700) 摘 要 ：InP是继 si和GaAs之后的新一代电子功能材料，利用多孑L半导体制成微型化和集成度较高的气敏传 感器也一直是研究的热点，但对多孔 InP的气敏特性研究甚少．本文拟通过电化学刻蚀方法制备纳米多孔 InP， 并观察其对氨气的伏安特性响应，从而分析该材料的气敏特性． 关键词 ：纳米多孔 InP；气敏特性；氨气 中图分类号 ：TB34 文献标识码 ：A 文章编号 ：1674—3873一(2014)04-0029-03 多孔纳米固体为原料制成的厚膜ZnO气敏传感器 0 引言 对挥发性有机化合物如乙醇、丙酮、苯、甲苯和二 甲 自从40年前 Bardeen等人发现半导体气敏特 苯蒸气的气敏特性，发现后者在空气中的电阻大大 性 以来 ¨，国内外研究者一直致力于研究和进一步 减小，最佳敏感温度降低、响应时间和恢复时间大大 开发新型的气敏材料及新型材料传感器．其中，最早 缩 短．其 他 的还 有 对 多孔 SnO ¨ 薄膜、多孔 作为微 电子领域主要的半导体材料是硅．硅材料在 WO ¨等气敏特性的研究． 大规模集成 电路 以及 电子器件等方面都被广泛的研 半导体 InP是继 si和GaAs之后的新一代 电子 究和应用 引．但是，随着生产和生活的需求，硅在光 功能材料，它具有电子迁移率高、禁带宽度大等优 致发光和 电致发光器件 中的应用受到了一定的限 点，可在微波及光电器件领域有广泛的应用．纳米多 制，主要原因是其能带结构为间接能带结构．1990 孔 InP在电学、光学等物理性质方面也表现出很多 年，英 国科学家 Canham通过电化学刻蚀 的方法，结 优异的特性 ，而对于多孔 InP的气敏特性研究 目前 合紫外光和氢离子激光照射生长出了多孔硅．经研 很少．本文采用的是电化学刻蚀法制备出的纳米多 究发现，这种材料具有强烈的可见光致发光现象，从 孔 InP材料，通过使材料置于氨气氛围中，观察其伏 而使多孑L硅材料应用于光电子学领域成为可能．从 安特性响应，从而反映其气敏特性，有望对多孔化合 此，多孔材料引起了国内外研究的热潮． 物半导体的传感技术提供新的应用空间． 在气敏传感器方面，基于多孔硅大的比表面积， 1 实验 其表面能吸附外界环境中大量的分子，对多孔硅的 许多性质产生影响，从而提高了材料对气体的敏感 1．1 纳米多孔半导体 InP的制备 性．所以将多孔硅用于传感器的制备一直是人们感 电化学刻蚀制备的多孔结构受刻蚀溶液种类、 兴趣的热点问题．迄今为止，多孔硅传感器已经在集 溶液浓度、刻蚀 电压／电流和刻蚀时间的影响．实验 成化的高精度器件方面表现出了许多优异的性能． 中所用材料为中科院半导体研究所提供的2英寸 s 并且因为其使用方便、性能稳定和价格低廉等特点， 掺杂的n—InP(001)单晶片(掺杂浓度为 10 am 重 受到了广泛的应用： 掺杂和10 cm 中度掺杂)．将晶片切割为5mm 多孔硅传感器的研究热潮推动了人们对其他多 后，对其进行去油脂等超声清洗，用DM-240型真空 孔材料的研究 J．为了不受硅材料的限制，满足更 镀膜机在样品背面镀上 AuGeNi合金电极，电极厚 多应用的需求，人们将研究对象扩展到了半导体化 度约为50Rfit，并在合金炉中对电极进行合金，温度 合物，如对多孔 ZnO纳米 固体厚膜的气敏特性研 为375 ，时间为5min，中间充人 N：作为保护气 究 引．结果表明：与ZnO纳米粉相比，通过测试以 体．制