纳米硅锗热电材料和纳米器件的研究进展.pdfVIP

第3 卷 第 1 期 新 能 源 进 展 Vol. 3 No. 1 2015 年2 月 ADVANCES IN NEW AND RENEWABLE ENERGY Feb. 2015 文章编号：2095-560X （2015 ）01-0025-08 纳米硅锗热电材料和纳米器件的研究进展* 1,2 1† 1 1,2 1 李 潮 ，苗 蕾 ，刘呈燕 ，杨恒全 ，周建华 （1. 中国科学院广州能源研究所，广州 510640 ；2. 中国科学院大学，北京 100049 ） 摘 要：近年来，纳米技术逐渐被用来设计和制备硅锗（Si−Ge ）热电材料和新型器件。为了提高Si−Ge 热电材料 的热电性能，研究学者利用各种纳米结构对Si−Ge 热电材料进行了理论研究。其中，利用纳米线、超晶格和量子点 等结构中的能带机理与散射机理，从理论上设计了降低Si−Ge 纳米结构热导率和提高其功率因子的途径。同时，高 效的Si−Ge 纳米热电材料被制备出来，包括纳米块体材料的热电性能得到大幅度提高，室温下薄膜和纳米线的热电 性能实现了重大突破。在高性能材料的基础上，新型Si−Ge 纳米热电器件的研发除了关注于制备工艺优化外，还包 括传热结构和原型器件的设计。 关键词：硅锗（Si−Ge ）；热电材料；纳米结构；ZT 值 中图分类号：TK01 ；TB34 文献标志码：A doi ：10.3969/j.issn.2095-560X.2015.01.005 Review of Nano Si−Ge Thermoelectric Materials and Devices Research 1,2 1 1 1,2 1 LI Chao , MIAO Lei , LIU Cheng-yan , YANG Heng-quan , ZHOU Jian-hua (1. Guangzhou Institute of Energy Conversion, Chinese Academy of Sciences, Guangzhou 510640, China; 2. University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) Abstract: In recent years, a large number of nanotechnologies are performed to design and fabricate silicon germanium thermoelectric materials and novel devices. Band engineering and scattering mechanism theories have been taken account to theoretical design new Si−Ge nanostructures, including nanowires, superlattice and quantum dot structure, with decreasing thermal conductivity and increasing power factor. Experimentally, various Si−Ge nanostructures have been p