半导体物理B教学大纲2015版.docVIP

《半导体物理B》课程教学大纲 课程英文名称： Semiconductor Physics B 课程：学 时：学： 课程类型：学科基础课程 适用专业： 先修课程：量子力学与统计物理、固体物理 执 笔 者：编写日期： 一、课程 本课程专业是培养方案中的核心课程之一The course is a professional basic course for students specializing in Electronic Science and technology, one of core courses listed in training scheme. It mainly includes the following chapters: energy band structures of semiconductors, impurities and defects in semiconductors, the statistical distribution of carriers, the movement of carriers in electromagnetic field, and the recombination of non-equilibrium carriers. 二、课程目标 通过本课程的学习，使学生熟悉半导体的主要性质和半导体物理的基础理论，后续专业课程的学习专业By the studying of this course, students could be familiar with and master the main physical properties and basic theory of semiconductors, which can lay a necessary foundation for the completion of the follow-up courses and being engaged in future work related to the field of electronic Science and technology aspects. 三、课程内容 （一）教学内容、要求及教学方法 本课程主要内容半导体半导体空穴锗、硅、砷化镓和锗硅的能带结构半导体半导体空穴掌握半导体理解掌握半导体空穴锗、硅、砷化镓和锗硅的能带结构锗、硅晶体中的锗、硅晶体中III-V族化合物中的杂质能级的形成及特点；等电子陷阱、等电子络合物以及两性杂质的概念；缺陷、位错能级 重点和难点：施主杂质和受主杂质的电离能、II-VI族化合物半导体的缺陷；完全电离的概念。 要求：掌握元素半导体杂质和缺陷的作用，理解II-VI族化合物半导体缺陷的作用，了解III-V族化合物半导体的杂质和缺陷。掌握锗、硅晶体中的锗、硅晶体中III-V族化合物中的杂质能级的形成及特点；了解等电子陷阱、等电子络合物以及两性杂质的概念；了解缺陷、位错能级建议教材及电子工业出版社高等教育出版社赵鹤鸣 钱敏 黄秋萍苏州大学出版社