沉积能量对ABO3型薄膜生长的影响论文.pdfVIP

2005年lO月 四川大学学报(自然科学版) Oct．2005 Science V01．42Issue2 ofSichuan Edition) 第42卷增刊2 Journal University(Natural 文章编号：0490—6756(2005)五．0121—04 沉积能量对AB03型薄膜生长的影响 谭浚哲”，朱基亮，张青磊，吴家刚，于光龙，朱建国，肖定全 (四川大学材料科学系，成都610064) 摘要：报道在MonteCarlo方法模拟多元氧化物薄膜生长的三维模型及模拟算法的基础上，模 拟同质AB如型薄膜外延的生长引入粒子的沉积能量范围在0～2eV(假设沉积粒子所带能 量较低，为了避免沉积粒子与基底表面作用产生再次碰撞，使能量损失，使模拟的误差过大) 模拟模型采用周期型边界条件，只考虑沉积过程和扩散过程．引入了沉积能量参数，研究了薄 膜生长初期岛的形貌，数量和尺寸的变化；以及对薄膜的生长模式和形貌变化的影响模拟的 结果表明在0．2ML(ML表示单层monolayer)覆盖度，005ML／S沉积速率，800K沉积温度 下，随着粒子沉积能量的加大，在薄膜初期岛的形成中，岛的数量减少，尺寸加大．在0 6ML 覆盖度，0．01ML／S沉积速率，800K沉积温度下，薄膜的生长模式更趋向于层状生长 关键词：Monte Carlo；沉积能量；扩散；晶胞 中图分类号：0484 文献标识码：A 1引言 薄膜科学已经成为--Iq交叉的学科，其主要涉及薄膜制备技术，生长机理，控制方法和物性分析等方 面的研究，薄膜的生长、形成过程是一种表面的动力学过程，主要包括粒子在基底表面上的粘接、扩散和 蒸发等一系列的粒子过程，扩散决定着薄膜岛的形成及长大．随着计算机技术的不断发展，使得计算机模 拟实际的薄膜生长成为一种可能 目前报道的薄膜生长的计算机模拟工作，模拟的方法主要有两类：连续方程理论和数值模拟，前者主 要已速率方程和连续性台阶演变动力学理论为基础，后者则包含动力学蒙特卡罗方法、分子动力学和第一 性原理分子动力学等模拟方法【1J．从早期的扩散凝聚模型DLA，到改进的扩展的DLA模型，成功地模拟 了薄膜生长初期不同条件下的分形，团状岛，以及二维平面上薄膜生长初期岛的形成，跃大过程研究发 现薄膜的形貌不仅与沉积粒子的沉积速率和沉积温度有密切的关系【2J，载能粒子所带能量也对薄膜的生 长有着重要的影响【3J．已有研究主要是模拟单元金属薄膜同质外延或异质外延生长[4--6J，并且主要是二 维平面的模拟，三维模拟并不多见，然而三维模拟可望揭示生长过程中更多的细节，因而三维模拟的研究 速率和沉积温度，没有考虑沉积能量参数的影响． 我们主要研究AB03型多元氧化物薄膜的同质外延生长，采用蒙特卡罗方法发展了模拟AB凸型多 元氧化物薄膜外延生长的三维模型及模拟算法．考虑了薄膜的实际生长过程中。沉积在薄膜上面的粒子 一定是带有能量．对于一般的溅射薄膜过程中载能粒子所带的能量是几个到几十个电子伏特，而在分子 束外延生长沉积中有的甚至达到了200电子伏特18J模拟中引入沉积能量参数，研究沉积能量对薄膜初 期岛和生长模式的影响 收稿日期：2005．09—15 基金项目：国家安全973计划项目(Z060t) *通讯作者：谭浚哲(1979一)男．四川广安人，硕士研究生，E．mail t-jz2002@tom@n 四川大学学报(自然科学版) 第42卷 2 Carlo模拟 AB03型薄膜生长的Monte 首先简单的描述一下具体事件，整个事件是基于粒子以晶胞的生长和扩散作为基础的薄膜首先在 基底上形成AB凸的基元晶胞，然后晶胞在生长温度，沉积能量所提供的作用下在基底进行扩散，凝聚成 Carl