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·176· 中国太阳能光伏进展
沉积温度对微晶硅薄膜结构特性的影响
陈永生郜小勇 杨仕娥卢景霄
郑州大学物理工程学院材料物理重点实验室郑州’450052
【摘要】
uv-分光光度计对不同沉积温度下沉积的薄膜的结构特性进行表征。研究发现：
沉积温度较低时，随着沉积温度的升高，薄膜的晶化率增加；当沉积温度超过
某一温度值时，随着温度的进一步升高，薄膜的晶化率降低。这时，表面反应
由表面扩散限制转变为流量控制。该温度值随着硅烷含量的降低而降低。
【关键词】 等离子体辅助化学气相沉积氢化微晶硅薄膜拉曼散射谱 晶化率UV二分
光光度计
Substrate totheStructure of
Influence．ofTemperature Properties
SiliconFilm
，Microcrystalline
‘
Chen Gao Shi-eLu
YongshengXiaoyongYang Jingxiao
labofmaterial of University，Zhcngzhou450052，China
Key physics，departmentphysics，Zhengzhou
0引言
具有重要意义：①可以缓解光致衰减；②增强了对太阳光谱中长波长光区的光谱相应。本
文对不同沉积温度下制备的pc—Si：H薄膜的微结构进行了分析。
1实验
‘ ，
功率和电极间距保持不变。薄膜厚度保持在600nm左右。拉曼散射和积分UV反射用于分析
，
薄膜的晶化情况，SEM观察薄膜的表面形貌。
●
薄膜硅太阳电池及材料．177．
2结果
2．1 拉曼分析
图I为R=5％时，在不同沉积温度下制备的薄膜的拉曼光谱图。采用高斯函数对每个样
品的拉曼谱进行三蜂拟合分析，通过计算相应峰面积比来表征其晶化率：
．Xc(IsIo-F1520)／(1520FIsIo-t-1480)
式中，1520为520cm-1附近的晶硅结构散射峰面积；1480为480cm-1附近的非晶结构散射蜂
面积；510
化率、拉曼谱中晶硅峰半峰宽与衬底温度的关系图。从图中可以发现在较低沉积温度时，随
着沉积温度的升高薄膜的晶化率增加，并在某一温度值达到最大值；其后，随着沉积温度的
继续升高，晶化率下降。对于不同的硅烷浓度，此最大晶化率温度值不同，并随着硅烷浓度
的降低而降低。而晶硅峰半峰宽则表现为完全相反的趋势：随着沉积温度的升高而减小，并
在某一温度值达到最小值；此后随着温度的继续升高而增大。该温度值与晶化率最大温度值
保持一致。
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