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介观LC 电路中的量子隧道效应 - 物理学报
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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介观 ! 电路中的量子隧道效应!
嵇英华 饶建平 雷敏生
(江西师范大学物理系,南昌 !!#$ )
( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿)
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考虑到电子在纳米电容器中的运动是一个单电子隧穿过程,因而将电容器作为一个隧道结,应用隧道模型的
稳态法,研究了介观 电路中的电流 电压特性 结果表明:由于库仑力的作用,介观 电路中存在着阈值电压
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当外加电压小于阈值电压时,隧穿电流为零,显示出库仑阻塞现象;当外加电压远大于阈值电压时,隧穿电流与电
压成正比*
关键词:介观 电路,库仑阻塞,单电子隧道过程
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的单电子隧道过程及电流 电压特性
) *
% 引 言
# 体系的哈密顿量
众所周知,当集成电路及电子器件的尺寸与电 我们研究一个介观 电路,纳米电容器 作
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子输运的相位关联长度相当时,必须考虑电路和器 为一个隧道结,结电阻为 采用金属 绝缘体 金
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件的量子效应 * 近几年来,随着纳米科技和纳米 属模型,系统的哈密顿量表为%$ %’
电子学的迅速发展,介观电路的量子效应已成为人 ()
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们极其关注的一
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