SiO2的结构和性质.pdfVIP

w 页码，1/2(W) SiO2的结构和性质 2010-05-03 21:31:25 | 分类：微电子材料 | 标签：sio2 psg 氧化 原子 薄膜 订阅| 字号 （氧化硅的结构怎样？为什么SiO2能够用作为B、P、Sb、As等杂质扩散的掩蔽膜？） 原创作者：Xie M. X. (UESTC ，成都市) 氧化硅（SiO2 ）有晶体与非晶体之分，例如水晶（石英）就是一种晶态氧化硅，而硅片上热生长的氧化膜则为非晶 态氧化硅。晶态氧化硅中的原子分布具有长程有序性；非晶态氧化硅中的原子分布也具有一定的有序性，但只是短程有序 性。 在Si表面上制备氧化硅薄膜的方法有许多种，例如：热生长法；CVD （化学气相淀积）法，如烷氧基硅烷 （如正硅酸 乙酯[Si(OC2H5)4]，TEOS ）的热分解（或热解氧化）淀积法；PVD （物理气相淀积）法等。 （1）SiO2的一般性质： 原子密度= 2.3×1022 cm-3；晶体密度= 2.27 g-cm-3 ；熔点≈1700 oC ；比热Cp 1.0 J/g-oC；热导率= 0.014 W/cm- K；热膨胀系数 （ΔL/LΔT ） 0.5×10-6 [1/oC] （比Si和GaAs的都小）；禁带宽度Eg≈8 eV ；电阻率 1016 Ω-cm （为绝缘 体）；击穿电场≈600 V/μm。 （2）SiO2的结构： 氧化硅中的基本化学键是Si-O键 （含有50 %的共价键和50 %的离子键）。 氧化硅中原子排列的基本结构是一种Si-O键构成的正四面体，即每一个Si离子的周围有4个按正四面体分布的O离子 （Si离子中心与O离子中心之间的距离为1.6?，O离子与O离子中心之间的距离为2.27? ）。然后，这种Si-O正四面体通过 顶角的O离子而规则地连接起来形成网络式的结构，即构成晶态氧化硅。否则，若这些Si-O正四面体的连接不是很规则， 即形成具有一些错乱的网络式结构，则为非晶态氧化硅。 显然，在氧化硅中存在许多由多个Si-O正四面体包围而成的空洞（网络中间的空洞），这些空洞的体积都比较大。实 际上，Si-O分子本身所占据整个的体积较小，只有43% ，而大部分都是空洞。因此，氧化硅的比重较小，晶态氧化硅的为 2.65g/cm3，非晶态氧化硅的为2.21g/cm3 。也因此，氧化硅比较容易地能够让半径较小的H、Na、K、Ca、Ba等杂质原 子进入到其网络结构中（处在空洞里），并且这些杂原子在网络结构中的扩散也较容易，这种杂质往往称为网络改变剂。 在SiO2 中掺入B、P、Sb、As 、Al等杂质原子时，即可形成磷硅玻璃 （PSG）、硼硅玻璃 （BSG）等。掺入的这些杂 质原子，在SiO2结构中往往取代Si-O正四面体中心的Si，形成带电的缺陷，这些杂质原子常称为网络形成剂。由于这种 杂质原子在网络中的位置稳定，故在SiO2 中的扩散速度较慢，所以氧化硅薄膜可用作为热扩散工艺中的掩蔽膜，以阻止 B、P、Sb、As等这些杂质原子的扩散。 由Si和SiO2的比重可以求出每一克分子的Si和SiO2的体积分别为12.06cm3/mole和27.18cm3/mole，则每一克分子的 Si薄膜和SiO2薄膜的厚度之比为0.44，这就是说，若要生长100nm的SiO2薄膜，那么只需要消耗44nm 的Si 即可。 （3）Si/SiO2界面的性质： 一般，Si/SiO2界面处的界面态密度≤1010cm2 。这些界面态往往是由于氧化不完全等之故，使得在界面的30 ?范围内 存在许多Si原子的悬挂键 （即未与氧原子结合的价键——带正电荷的中心）所造成的。为了减少这种悬挂键，可以通过氢 气退火，让一些氢原子进入到界面、并与悬挂键形成Si-H键 （中性）来实现；不过，这些Si-H键的离解能较小，约为0.3