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20131009传感器与敏感材料

新型传感技术及应用 郭占社 压电晶体 v v=fδ δ=dv f:系数 δ:应力; d:压电系数 典型应用:石英(SOi2)振梁传感器,高品质因数 压电材料 光(z)-机(y)-电(x) 石英晶体的压电机理 压电材料—石英晶体 石英晶体的压电机理 压电材料—石英晶体 应力张量 电荷张量 左旋石英晶体取正号;右旋石英晶体取负号 厚度变形/长度变形/面剪切变形/厚度剪切变形 石英晶体的压电机理 石英晶体的压电常数 压电材料—石英晶体 压电特性非常稳定,但比较弱; 温度特性和长期稳定性非常好; 固有频率高,动态响应好; 机械强度高,绝缘性能好,迟滞小,重复性好。 石英晶体的压电机理 石英晶体的压电常数 石英晶体几何切型的分类 石英晶体的性能 压电材料—石英晶体 石英温度传感器 石英晶体的压电机理 石英晶体的压电常数 石英晶体几何切型的分类 石英晶体的性能 石英压电谐振器的热敏感性 谐振频率与温度的关系——热灵敏系数Ct 正确选择切型和工作模式 压电材料—石英晶体 压电陶瓷的压电机理 压电陶瓷的压电常数 常用压电陶瓷 压电材料—压电陶瓷 压电陶瓷:人工合成的多晶压电材料 压电陶瓷的压电机理 压电材料—压电陶瓷 第一章 传感器与敏感材料 2013-10-09 2013-10-09 仪器科学与光电工程学院 郭占社 传感器与敏感材料 1. 传感器定义 2. 硅材料 3. 二氧化硅 4. 压电材料 5. 磁致伸缩材料 6. 形状记忆合金 7. 其它:光导纤维、弹性合金、纳米材料等 本 章 内 容 传感器与敏感材料 传感器定义: 中华人民共和国国家标准GB7665-2005,对传感器(Transducer/Sensor)的定义是:能感受被测量并按一定规律转换成可用输出信号的器件或装置,通常由敏感元件和转换元件组成。其中,敏感元件(Sensing element)是指传感器中能直接感受或响应被测量的部分;转换元件(Transducing element)是指传感器中能将敏感元件感受或响应的被测量转换成适于传输或测量的电信号部分。 2. 工作机理——敏感元件,传感器技术的 核心,研究、设计、制作传感器的关键; 1. 作用——测量,应用传感器的目的; 3. 输出信号——适于测量的电信号。 从三个方面来理解与把握: — —— —— 传感器的定义与理解 传感器敏感材料 单晶硅与多晶硅 1 2 3 4 光刻胶(图形转移) 基底材料(结构材料) 腐蚀材料(制作三维结构) 清洗材料(清洗) 单晶硅与多晶硅(作用?) 硅 单晶硅 多晶硅 各向同性 各向异性 单晶硅与多晶硅 硅: Most popularly used in MEMS sensors 易于装配; 低密度(2.33g/cm2), 高弹性模量E; 高熔点;(no failure even in high temperature condition) 低膨胀系数;(8 times less than the steel, 10 times less than aluminium) 易于装配. 单晶硅 Production of silicon chip SiC+SiO2 → Si+CO+SiO Cutting in different direction results in different kinds of silicon chip 单晶硅 单晶硅(压阻效应 第一特性应用) 半导体材料的压阻效应 半导体材料的电阻特性 压阻式变换原理 单晶硅(压阻效应 第一特性应用) 单晶硅的晶向、晶面的表示 ? 半导体材料的各向异性 密勒指数 单晶硅的晶向、晶面的表示 密勒指数 1. ABCD面 (100),100 2. ADGF面 (110),110 3. AHF面 (111),111 4. BCHE面 (1-10),1-10 压阻式变换原理 单晶硅(压阻效应 第一特性应用) P型硅: N型硅: 可忽略, 可忽略, 压阻系数矩阵 压阻系数 单晶硅(压阻效应 第一特性应用) 单晶硅(各向异性腐蚀 第二特性应用) 单晶硅(各向异性腐蚀 第二特性应用) 改进方法:干法腐蚀 2.62 2.33e3 57.5 0.23 190 111 2.62 2.33e3 61.7 0.23 170.0 110 2.62 2.33e3 79.0 0.23 130 100 coefficient of expansion (ppm/°C) Density Cutting modulus Poissons ratio Elastic modulus Cry

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