MOVPE 生产用高纯水中硅的去除.PDF

第 5 期 电　　子 　　学 　　报 Vol . 31 　No . 5 　2003 年 5 月 ACTA ELECTRONICA SINICA May 　2003 　 MOVPE 生产用高纯水中硅的去除 1 2 3 1 闻瑞梅 ,徐志彪 ,孟广祯 ,吴 　坚 ( 1 同济大学 ,上海 200092 ;2 华南理工大学 ,广东广州 510030 ;3 北京格兰特膜分离设备有限公司 ,北京 100103) ( ) ( ) 　　摘 　要 : 　本文介绍了硅对砷化镓材料生长及有机金属化合物气相淀积 MOVPE 工艺中的影响和电脱盐 EDI 技 术以及用 EDI 降低高纯水中硅浓度的机理和方法 ,通过大量实验比较不同制水设备脱硅效果 ,得出用 EDI 技术严格控 ( ) μ 制 p H 8～11 时脱硅效果最好 ,能使高纯水中 Si 的浓度 05 g/ L ,满足了MO 源生产及 MOVPE 工艺用水中 Si 浓度 μ 3 g/ L 的需要. 关键词 : 　有机金属气相淀积 ; 硅 ; 连续电脱盐 ; 超大规模集成电路 中图分类号 : 　TN405 　　　文献标识码 : 　A 　　　文章编号 : (2003) Silica Removal fro m Purifie d Wat er Pro duce d for MOVP E Proce s s 1 2 3 1 WEN Ruimei ,XU Zhibiao ,MEN G Guangzhen ,WU Jian ( 1 Tongj i University , Shanghai 200092 , China ;2Huanan Institute of Technology , Guangzhou , Guangdong 510030 , China ; 3Beij ing Grant Pure Water Inc. , Beij ing 100103 , China) ( ) Ab stract : 　Silica impurity in the highpurity water that is used for MOVPE Metallorganic Vapor Phase Epitaxy processes af