多晶硅后热退火引起SiO 栅介质可靠性下降的原因分析及其抑制方法.PDF

维普资讯 第 22卷第 8期 半 导 体 学 报 VoI．22．No．8 2001年 8月 CHINESEJOURNAL OFSEMICoNDUCTORS Aug．，2001 多晶硅后热退火引起 SiO 栅介质可靠性下降的 原因分析及其抑制方法 高文钰 刘忠立。于 芳 张 兴 (1北京大学散电子学研究所 ，北京 100871) (2中国科学院半导体研究所，北京 100083) 摘要：实验研究表明，多晶硅后的高温退火明显引起热SiO 栅介质击穿电荷降低和FN应力下电子陷阱产生速率 增加．采用NzO氮化则可完全消除这些退化效应．而且氮化栅介质性能随着退火时间增加反而提高．分析认为． 高温退火促使多晶硅内H扩散到SiOz内同 一O应力键反应形成 si—H是多晶硅后SiO：栅舟质可靠性退化的 主要原因；彝化【抑制退化效应是由于N 缝合 了SiOs体内的si—o应力键缺陷． 美t词 ：栅介质}性能退化 ；氨化 ；可靠性 PACC：7340Q}7360H；816O EEACC：2530F 中田分类号：TN386 文献标识码 ：A 文章编号：0253—4177(2001)08—1002—05 层 (topoxide)是通过太 于 950C的热氧化 SiN形 引言 成，这就是说多晶硅浮栅下面的隧穿 SiO 要承受 950℃的热处理．因此十分有必要认识多晶硅后高温 众所周知，SiO 栅介质是 MOs集成技术 中十 退火对薄SiO 性能的影响． 分重要的材料 ，集成电路的功能、可靠性和成品率同 早在 70年代，语过实验就发现多晶硅后的高温 这层薄SiO 性能密切相关．例如：siO。栅介质的完 退火会降低器件的抗电离辐射能力 ．90年代对薄 栅介质研究表明，高温引起的硼扩散会降低 SiO 栅 整性决定着器件或 电路的成品率；栅介质内的电子 介质可靠性 。]，表现为si0，Si界面态缺陷增加、 和空穴俘获陷阱密度决定着器件热载流子或电离辐 栅介质击穿特性变差．人们认为多晶硅后高温退火 射损伤后的阈值电压漂移量，即器件的长期可靠性； 引起 SiO 栅介质可靠性退化大致有二个原因：高温 SiO。／Si界面态增加会降低器件淘道载流子迁移率， 引起多晶硅和其它介质层 内杂质 (如 H、B等)扩散 引起器件跨导和电流驱动能力下降；栅介质的击穿 到栅介质以及高温导致多晶硅 ／栅介质 ／硅衬底之间 电荷的大小和器件寿命相关．随着集成技术发展 ，器 应力变化 ]．但仍缺乏详细的实验数据，特别是缺 件尺寸不断缩小，栅介质厚度也相应减薄，优质薄栅 乏无硼扩散时多晶硅后高温退火对热 SiO 可靠性 介质的制备已经成为集成 电路工艺技术的关键之 的退化作用．本文对这方面进行了较详细的实验研 一 ． 薄S