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化学气相沉积 Chemical Vapor Deposition , CVD 主要内容： CVD的基本原理 CVD的特点 CVD方法 CVD的现状和展望 一、CVD的基本原理 化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition ,CVD ） 利用气态物质在一固体表面上进行化学反应，生成固态沉积物的过程。 1、CVD的基本条件 1）足够高的温度：气体与机体表面作用、反应沉积时需要一定的激活能量，故CVD要在高温下进行。当然，以等离子体、激光提过激活能量，可降低反应的温度。 2）反应物必须有足够高的蒸气压。 3）除了要得到的固态沉积物外，化学反应的生成物都必须是气态。 4）沉积物本身的饱和蒸气压应足够低。 2、CVD过程 3、CVD几种典型化学反应 1）热分解 2）还原 3）氧化 4）水解 5）综合 许多镀层的沉积包含上述两种或几种基本反应。 此外，还有等离子体激发、光和激光激发等反应。 4、CVD装置 二、CVD的特点 三、化学气相沉积方法 热化学气相沉积（TCVD） 低压化学气相沉积（LPCVD） 等离子体化学气相沉积（PCVD） 激光（诱导）化学气相沉积（LCVD） 金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD） 热化学气相沉积（TCVD） 热化学气相沉积是指采用衬底表面热催化方式进行的化学气相沉积。 一般在800~2000℃的高温反应区，利用电阻加热，高频感应加热和辐射加热的化学气相沉积。这样的高温使衬底的选择受到很大限制，但它是化学气相沉积的经典方法。 应用于半导体和其他材料。 低压化学气相沉积（LPCVD） LPCVD压力范围一般在1Pa~4×10000Pa之间。由于低压下分子平均自由程增加，因而加快了气态分子的运输过程，反应物质在工件表面的扩散系数增大，使薄膜均匀性得到改善。对于表面扩散动力学控制的外延生长，可增大外延层的均匀性，这在大面积大规模外延生长中（例如大规模硅器件工艺中的介质膜外延生长）是必要的。但对于由质量输送控制的外延生长，上述效应并不明显。 等离子体化学气相沉积(PCVD) 1、基本原理 PCVD是将低压气体放电等离子体应用于化学气相沉积中的技术，它是用辉光放电产生的等离子体激活气体分子，使化学气相的化学反应在低的温度下进行，因而也称等离子增强化学气相沉积（PECVD）。 这是一种高频辉光放电物理过程与化学反应相结合的技术。 2、PCVD的成膜步骤 3、PCVD的特点 4、PCVD与CVD装置结构相近，只是需要增加能产生等离子体的反应器。用于激发CVD反应的等离子体有： 直流等离子体 射频等离子体 微波等离子体 脉冲等离子体 直流等离子体法(DCPCVD) 利用直流电等离子体激活化学反应，进行气相沉积的技术。 射频等离子体法(RFPCVD) 利用射频辉光放电产生的等离子体激活化学反应进行气相沉积的技术。 电感耦合和电容耦合是供应射频功率的两种基本耦合方式。 射频传输是通过电路实现的，在放电空间建立的是纵向电场。 射频法可用来沉积绝缘薄膜。 微波等离子体法(MWPCVD) 用微波放电产生等离子体激活化学反应进行气相沉积的技术。 微波放电无电极，放电气压范围宽，能量转换率高，能产生高密度等离子体。 微波等离子体比射频等离子体气体离子化高，放电非常稳定，等离子体可以不与器壁接触，有利于制备高质量薄膜。 微波等离子体可在10ˉ3Pa至大气压的压力范围内产生。 PCVD的激发方式的工作参数及特性 5、PCVD的重要应用 绝缘薄膜的PCVD沉积 在低温下沉积氮化硅、氧化硅或硅的氮氧化物一类的绝缘薄膜，对于超大规模集成芯片（VLSI）的生产是至关重要的。 非晶和多晶硅薄膜的PCVD沉积 金刚石和类金刚石的PCVD沉积 等离子体聚合 等离子体聚合技术正越来越广泛的应用于开发具有界电特征、导电特性、感光特性、光电转换功能或储存器开关功能的等离子体聚合膜和一些重要的有机金属复合材料。 激光(诱导)化学气相沉(LCVD) LCVD是指利用激光束的光子能量激发和促进化学反应，实现薄膜沉积的化学气相沉积技术。 按激光作用机制，可分为激光热解沉积和激光光解沉积两种。 热解机制：光子加热使在衬底上的气体