第一章电路剖析.ppt

常温下，仅有极少数的价电子能够摆脱共价键的束缚成为自由电子，因此本征半导体的导电能力很差，且与环境温度密切相关 击穿的类型，根据击穿的可逆性分为： 1、电击穿 2、热击穿 电击穿 二极管发生反向击穿后，如果 功耗PD(=|UDID|)不大 PN结的温度小于允许的最高结温：硅管150~200oC，锗管75~100oC， 降低反向电压，二极管仍能正常工作 热击穿 PN结被烧坏，造成二极管永久性的损坏 产生击穿的机理 A. 齐纳击穿 条件： 1、半导体的掺杂浓度高，耗尽层宽度窄 2、空间电荷区中有较强的电场 击穿的机理 电场使PN结中的价电子从共价键中激发出来 击穿的特点：击穿电压低于4V B. 雪崩击穿 条件： 1、半导体的掺杂浓度低； 2、空间电荷区中就有较强的电场 击穿的机理 电场使PN结中的少子“碰撞电离”共价键中的价电子 击穿的特点：击穿电压高于6V 二极管工作状态的判断 二极管工作状态的判断 例：一二极管开关电路如图所示。当v?1和v?2为0V或5V时，求v?1和v?2的值不同组合情况下，输出电压?o的值。设二极管是理想的。 (2)以此类推，将v?1和v?2 的其余三种组合及输出电压列于下表： 二极管电路的简化模型分析方法 在直流源或大交流源的作用下 理想模型 恒压降模型 在直流源和交流小信号的共同作用下 利用理想模型或恒压降模型分析电路的静态工作点 利用小信号模型分