The University of Adelaide, School of Computer Science * Chapter 2 — Instructions: Language of the Computer * A:n位2进制存储单元地址 * * 抖动现象:如果上层的存储器比程序所需要的空间小很多,那么,在层次结构的两层之间传输数据就会耗费更长的时间,这就是存储器层次结构的抖动现象。 * 表5-6在第三版P284 图5.17 ,第四版 P403 图C.11 * 表5-5见第三版 P281 图5.14,第四版 P401 图C.8 * * 即RDRAM * * 3. DRAM(存储器)与SRAM(Cache) DRAM:Dynamic Random Access Memory,即动态随机访问存储器,最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据) SRAM: Static Random Access Memory,静态随机访问存储器,它是一种具有静止存取功能的内存,速度快,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。但集成度低,功耗较大,相同的容量体积较大,而且价格较高,少量用于关键性系统以提高效率。 容量:4~8:1
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