直流老化及热处理对zno 压敏陶瓷缺陷结构的影响 - 物理学报.pdfVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 7 (2013) 077701 直流老化及热处理对ZnO 压敏陶瓷缺陷结构的影响* † 赵学童 李建英 贾然 李盛涛 ( 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室, 西安 710049 ) ( 2012 年10 月12 日收到; 2012 年11 月22 日收到修改稿) 在电场为3.2 kV/cm, 电流密度为50 mA/cm2 条件下对ZnO 压敏陶瓷进行了 115 h 的直流老化, 研究了直流老 化对ZnO 压敏陶瓷电气性能及缺陷结构的影响. 发现直流老化115 h 后ZnO 压敏陶瓷的电位梯度、非线性系数分 别从2845 V/cm, 38.3 下降到51.6 V/cm, 1.1, 介电损耗中的缺陷松弛峰被增大的直流电导掩盖, 电模量中只观察到一 个缺陷松弛峰, 低频区交流电导率急剧增大并且相应的电导活化能从0.84 eV 下降到只有0.083 eV. 通过对直流老 化后的ZnO 压敏陶瓷在800 ◦C 进行 12 h 的热处理, 发现其电气性能和介电性能都得到了良好的恢复并有一定的 增强, 电位梯度、非线性系数恢复到3085 V/cm, 50.8, 电导活化能上升到0.88 eV. 另外, 其本征氧空位缺陷松弛峰 也得到了一定的抑制. 因此, 认为热处理过程中氧在晶界处的扩散作用对ZnO 压敏陶瓷的直流老化恢复起到了关 键作用. 关键词: ZnO 压敏陶瓷, 介电性能, 直流老化, 热处理 PACS: 77.22.Gm, 72.20.−I, 73.40.Ty, 84.32.Ff DOI: 10.7498/aps.62.077701 6 清楚 . 因此, 研究ZnO 压敏陶瓷的直流老化与其 1 引言 缺陷结构的关系也是衡量其稳定性与可靠性的重 要因素之一. ZnO 压敏陶瓷是以ZnO 为主要原料, 同时掺 目前, 对ZnO 压敏陶瓷热处理的研究主要集中 杂Bi O 、Sb O 、Co O 、MnO 等添加剂烧结而 在对试样烧成后进行二次热处理, 通过分析热处理 2 3 2 3 2 3 成的一种多晶半导体器件, 它逐渐发展成为电力系 对其相变的影响以及元素成分的变化来研究ZnO 统用避雷器、电子线路用压敏电阻器和片式ZnO 7 压敏陶瓷的性能. Gupta 等 认为热处理时晶界由 压敏电阻器、防雷用浪涌抑制器等电力设备和电 β -Bi O 向γ -Bi O 的相变, 形成更加稳定的相结 2 3 2 3 子元器件的核心材料1−4 . ZnO 压敏陶瓷在制备的 构是构筑ZnO 压敏陶瓷稳定性的基础. 而李盛涛 过程中, 通常会由于Zn 和O 的非化学计量比导致 8 等 则认为热处理后试样内部形成了δ -Bi O 相, 2 3 锌填