初始Si覆盖层对GeSi量子点形貌变化的影响及量子点稳定性的研究.pdfVIP

论文题目：初始si覆盖层对Gesi量子点形貌变化的影响 及量子点稳定性的研究 ． 系别：塑堡堂丕 专业：邋显查丝『里 作者：昱送塾 导师：蓝敦教授 摘要 (1)Gesi量子点在初始Si覆盖下的形貌转变 最近研究发现，当生长在si衬底上的Gesi量予点在薄的Si层覆盖下， 这些量子点的形貌可以发生转变，从而实现不同结构和形状的半导体纳米材料 的生长。这些形貌的转变对于覆盖的Si层的厚度以及覆盖时的温度条件非常 敏感。通过原子力显微镜的观察，我们发现GeSi量子点可以以不同取向的小 面构成的金字塔形貌存在，其中包括第一次发现了不常见的{103}和{104}小面 构成的金字塔。 (2)金字塔形貌的Gesi量子点在常温下的结构稳定性 半导体纳米结构的发展已经是全球范围内的研究热点，关注的焦点是研制 出具有良好的物理特性的半导体纳米结构。在实际的应用当中，一个巨大的挑 战是研制可以在常温下稳定工作的半导体纳米结构。通过对金字塔形貌的Gesi 量子点稳定性的研究，我们发现即使在室温下量子点也并不是都是稳定的，有 的量子点发生了形貌的转变。具体的，通过原子力显微镜和透射电子显微镜的 金字塔形量子点的形貌得到了很好的保持，而{103}小面的量子点转变成厂 f104}小面的量子点。 (3)Gesi量子点内的组分、应变分析 与其他的一些半导体纳米结构类似，量子点的物理特性与量子点的组分、 应变有着密切的联系。利用单个量子点高分辨透射电子显微镜照片，分析了量 子点内的组分和应变。 关键词：分子束外延(MBE)，锗硅量子点，形貌转变，原子力显微镜(AFM) 透射电子显微镜(TEM) AbstI鼍ct of Si Gesi dotswithilIitial (1)Shapechange quantum capping Ithasbeen Siis ontheGeSi dots recentlyfound也at，whencapped qualltum onSi ofthesesemiconductornanostnIcturescanbe grown subsbrate，theshapes isbenefitfbr ofsemiconductornanostmctureswith tailored，which the酽o、玑h t0 di脯remstmctureand is sensitlVethe sh印e．Thisshape廿吼sfoHnationVery mick|less。ftheSi aswellasthe cappinglayer c印pingtemperature．Byllsing atomicforce kindsoffaceted canbe microscopy’severalpyramidsfound，including me obseⅣedforthe亓rsttime unusual{103}and{104)f乱ctcdpyramidsbeing of GeSi dots (2)structuralstabilit