22-2 二极体.docVIP

§2 二極體 電子元件特性 我們以通過元件的電流及該元件端點上的電壓降之關係來描述電子元件的特性。 某些電子元件(如電阻器)在直流和交流電路的特性表現相同；而某些電子元件(如電容器和電感器)在直流和交流電路的特性卻是迥然不同。因此，分析電子元件的特性時，須確定是用於直流的電路或交流的電路。習慣上「電流--電壓特性關係」，都是指在直流電路的特性表現。其關係圖稱為元件的「靜態(static)特性曲線」。 為什麼所有的電子元件至少要有二個以上的端點接腳？一個端點不行嗎？㊣：任何元件要形成電流迴路都要兩個以上的端點。 歐姆特性(ohmic property)：元件其電流--電壓成線性關係的性質。ex：電阻器其電流--電壓特性曲線為直線，斜率的倒數為該電阻器的電阻值。非歐姆(non-ohm)特性：元件其電流--電壓曲線不是通過原點的直線(可能是曲線)。 pn接面(p-n Junction) 利用摻入雜質的技術，將一塊純矽(或鍺)，一半加入五價的雜質為n型；另一半加入三價雜質成p型。則在n型與p型兩邊接面間形成「pn接面」。這種基本架構即為「二極體」(diode)。典型的pn二極體結構的示意圖如右。 pn二極體內部： n型區：許多電子(多數載子) + 極少數由熱產生的電洞(少數載子) p型區：許多電洞(多數載子) + 極少數由熱產生的電子(少數載子) 空乏區 (The Depletion Layer) 即使無外加電壓，n型區內的電子由於布朗運動(漫無方向的漂移)，在接面形成的瞬間，有一些接面附近的電子擴散至p型區內(因為n型區電子濃度高 → p型區電子濃度低)，並與接面附近的電洞結合而消失。同理，p型區的電洞也會移向n型區，並與電子復合而消失。 因此，靠近pn接面處有： p型區剩下受體離子(電性為負) n型區剩下施體離子(電性為正) 原來電中性的半導體原子 →此區域幾乎已沒有可導通電流的載子，因此稱為「空乏區」(通常寬度為0.1~1.0微米) 二極體在接面處的空乏區中 (A)有大量的電洞載子 (B)有大量的電子載子 (C)沒有載子 (D)正離子 (E)負離子 (F)四價的原子 (G)沒有電場 。㊣：CDEF 在空乏區中，(1)施體的電性為？ (2)受體的電性為？ (A)帶正電 (B)帶負電 (C)不帶電 (D)P型區與N形區不同 (E)與施體(受體)的種類有關 。㊣：(1)A (2)B pn接合面之空乏區屬下列何者？ (A)導電區 (B)電洞區 (C)電子區 (D)非電中性區 (E)絕緣體 。E 空乏區位置：電子與電洞復合時，成對的消失。因此，空乏區內受體負離子與施體正離子的數量相等。 若n型的雜質濃度 = p型的雜質濃度，則空乏區落於正中交界處。 若n型的雜質濃度 p型的雜質濃度，則空乏區主要落於原為電中性的p型區。 若p型的雜質濃度 n型的雜質濃度，則空乏區主要落於原本為電中性的n型區。 空乏區的內在平行電場：空乏區內p型側有受體負離子，n型側有施體正離子，如此即建立一內在平行電場。 方向為由n指向p。 阻止n型區的電子及p型區的電洞繼續通過空乏區到達彼端。 隨著擴散的進行，離子數目也增加，電場大小也隨之增大。 當足夠多的離子所建立的電場強度，足以使電子及電洞不再繼續通過空乏區時，電流為零，此時空乏區的範圍(或寬度)就確定了。 可將此電場以電位曲線V(x)表示。接面兩邊的最大電位差，稱為位障高度(障壁電壓)，以Vb表之。 擴散電流與漂移電流 擴散電流(Id，diffusion current)：多數載子(p型中的電洞和n型中的自由電子)進行擴散所成電流的總合。 電子流與電洞流的方向雖相反，但形成的電流方向相同。其方向由p型區移向n型區。 多數載子必須要有足夠的能量，以克服空乏區的位障高度Vb(障壁電壓)，才能由一邊擴散至另一邊。 二極體內之擴散電流發生的原因是 (A)兩端有電壓 (B)內部有電場 (C)載子濃度不均勻 (D)溫度變化 (E)有雜質摻入 。㊣：C 漂移電流(Is，drift current)：由少數載子(p型中的自由電子和n型中的電洞)受熱運動和碰撞，穿過空乏區所形成的電流。 其方向由n型區移向p型區。 在p型區內的自由電子(很少喔！)，若是藉著熱運動和碰撞過程(機率很小喔！)，一旦進入空乏區，會被內建的電場迅速吸引至n型區；同樣的，n型區內的少量的電洞，一旦進入空乏區，也會被吸引至p型區。 漂移電流的大小僅與溫度有關(溫度愈高，少數載子愈多，碰撞機率也愈大)，和位障高度Vb(障壁電壓)大小無關。 當二極體處於斷路狀態時，其 總電流=0 ，即 擴散電流Id(p→n) = 漂移電流Is(n→p)。此表示在空乏區內的電流狀態實際上是處於動態平衡。 下列有關pn接面的敘述，何者是正確的？ (A)p型區內