第八章 双极型器件物理-第9讲 BJT结构(西电).pdfVIP

西安电子科技大学 Physics of 微电子学院 Semiconductor Devices 双极型器件物理 游海龙 XD Physics of Semiconductor device 第二章：BJT 直流特性分析 2 －1 双极晶体管直流放大原理定性分析 2 －2 双极晶体管直流I－V特性的定量分析 2 －3 影响双极晶体管直流放大系数的实际因素 微电子学院 PSpice及其基本功能.2 XD Physics of Semiconductor device 2－1 双极晶体管直流放大原理定性分析 1 BJT结构与制造工艺 2 BJT电流传输过程 3 直流电流放大系数 4 BJT电流放大能力 微电子学院 PSpice及其基本功能.3 XD Physics of Semiconductor device 2.1.1 BJT Basics 1.BJT Structure 微电子学院 PSpice及其基本功能.4 XD Physics of Semiconductor device 1.BJT Structure BJT Basic Structure 微电子学院 PSpice及其基本功能.5 XD Physics of Semiconductor device 1.BJT Structure B E B 发射区: 20 3 0 n x je N E 10 cm x jc x je 1.2m p w b ~ 5m 基区: w 17 3 c N 10 cm B n