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h2s04一pani/atp纳米复合材料导电性能和结构表征
V01.36No.1l 化工新型材料 第36卷第11期
NEW
·58· CHEMICALMATERIALS 2008年11月
曾永斌1姚超h丁永红1 李效棠2 刘建平3
(1.江苏工业学院化工系,常州213164;2.江苏省凹土工程技术研究中心,盱眙211700;
3.江苏南大紫金科技集团有限公司,常州213016)
√钔甲纳米复合材料,研究了聚合温度、苯胺包覆率、Hz姒掺杂量、聚合时间和过硫酸铵(APS)用量对复合材料体积电阻
关键词聚苯胺,凹凸棒土,掺杂.原位聚合,纳米复合材料,体积电阻率
The andstructuralcharacterizationof
H2504
conductivity doping
polyaniline/attapulgitenanocomposites
YaoCha01 Li Liu
ZengYongbinl DingYonghon91XiaotangzJianpin93
ofChemical 213164;
(1.Department PolytechnicUniversity,Changzhou
Engineering,Jiangsu
ResearchCenterof 21
2.Jiangsu 1700;
EngineeringTechnology Attapulgite,Xuyi
NDZ 213016)
3.JiangsuTechnologyCo.Ltd.,Changzhou
AbstractThesurface was with with
of polyaniline(PANI)whichdoped sulfuricacid
attapulgiteencapsulated
the insitu method.Theeffectofthe
(HzS04)tOsynthesizeH2S04一PANI/ATPnanocompositesby polymerization poly-
merization ratioofaniline,theamountofH2S04,the timeandtheamountof
temperature,thecovering polymerization
thatthe
Ammonium thevolume werestudied.Theresultindicated volume of
persulfate(APs)Onr
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