子计画一：新型接触点电阻式记忆层开发及最佳化分析.PDF

行政院國家科學委員會專題研究計畫 成果報告 新型高密度接觸點電阻式記憶體陣列開發--子計畫一：新 型接觸點電阻式記憶層開發及最佳化分析(I) 研究成果報告(精簡版) 計 畫 類 別 ： 整合型 計 畫 編 號 ： NSC 99-2221-E-007-109- 執 行 期 間 ：99年08月01日至 100年07月31日 執 行 單 位 ：國立清華大學電子工程研究所 計 畫 主 持 人 ： 林崇榮 計畫參與人員： 碩士班研究生-兼任助理人員：蔡明蒼 碩士班研究生-兼任助理人員：黃建元 碩士班研究生-兼任助理人員：劉宇軒 碩士班研究生-兼任助理人員：蔡正威 博士班研究生-兼任助理人員：曾元亨 報 告 附 件 ： 出席國際會議研究心得報告及發表論文 處 理 方 式 ： 本計畫涉及專利或其他智慧財產權，2年後可公開查詢 中 華 民 國 100 年 10月 27 日 ■成果報告 行政院國家科學委員會補助專題研究計畫 □期中進度報告 新型高密度接觸點電阻式記憶體陣列開發 — 子計畫一：新型接觸點電阻式記憶層開發及最佳化分析(I) 計畫類別：□ 個別型計畫 ■ 整合型計畫 計畫編號： NSC 99-2221-E-007 -109 執行期間：99 年 8月 1日至 100 年 7月 31日 計畫主持人：林崇榮 計畫參與人員：曾元亨、蔡明蒼、黃建元、劉宇軒、蔡正威 成果報告類型依經費核定清單規定繳交( ) ：□精簡報告 ■完整報告 本成果報告包括以下應繳交之附件： □赴國外出差或研習心得報告一份 □赴大陸地區出差或研習心得報告一份 ■出席國際學術會議心得報告及發表之論文各一份 □國際合作研究計畫國外研究報告書一份 處理方式：除產學合作研究計畫、提升產業技術及人才培育研究計畫、列管計畫及 下列情形者外，得立即公開查詢 ■；涉及專利或其他智慧財產權，□一年□二年 後可公開查詢 執行單位：國立清華大學 電子工程研究所 中 華 民 國 100 年 10 月 25 日 新型高密度接觸點電阻式記憶體陣列開發 — 子計畫一：新型接觸點電阻式記憶層開發及最佳化分析(I) 期末成果報告 計畫編號： NSC 99-2221-E-007 -109 主持人：林崇榮 清華大學電子工程所 一、中文摘要 under a very low set voltage of 4V and a reset 新一代的接觸點電阻式隨機存取記憶 current of 150 　 A, while achieving fast set 體是藉由 0.18 CMOS 製程，在 N+ 參雜區與 and reset speed of less than 100ns and 10 　 s, 接觸點間夾雜一層 TiN/TiON的鈦化合物， respectively. Excellent endurance of more than 形成 RRAM 結構。本計畫探討