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修订修订13
闪存闪存ProASIC3系列系列FPGA
与可选软与可选软ARM支持支持
特点和优点特点和优点 高级高级I / O
•700 MbpsDDR,LVDS,有能力I / O （A3P250及以上）
高容量高容量 •1.5 V,1.8 V,2.5 V和3.3 V混合电压操作
•15 K至1M系统门 •每个JESD8-B宽电源电压支持,
•高达144千比特真双端口SRAM 允许I / O从2.7 V至3.6 V
•多达300用 I / O •插槽可选I / O电压,高达每片4组
编程编程Flash技术技术 •单端I / O标准：LVTTL,LVCMOS 3.3 V /
•130纳米,7层金属（ 铜）,基于闪存CMOS 2.5 V / 1.8 V / 1.5 V, 3.3 V PCI / 3.3 V PCI-X † 和LVCMOS
流程 2.5 V / 5.0 V输入
•即时在0级支持 •差分I / O标准：LVPECL,LVDS,B-LVDS,和
•单芯片解决方案 M-LVDS （A3P250及以上）
•防护留编程设计时已关闭 •I / O寄存器输入,输出,并启用路径
•支持热插拔,冷饶让I / O ‡
高性能高性能 •可编程输出摆率 † 和驱动强度
•350 MHz系统性能 •弱上拉/ -Down
•3.3 V, MHz64位PCI † •IEEE 1149.1 （J
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