第八章 ssd1332-drive.pdfVIP

SSD1332 OLED 點亮細節 LCM 產品設計課 目錄 一、OLED 的显示理……………………………………………1 二、OLED 相关关键工艺………………………………………2 三、OLED 的驅動技朮…………………………………………4 四、具體點亮模組 SSD1332、65K、OLED……………………5 五、利用 AT90S8515測試板（新測試板外部可以擴展 8Mbit） 點亮模組………………………………………………………………………15 SSD1332 65K OLED LCM 產品設計課 一、 OLED 的显示原理 OLED 组件系由 n 型有机材料、p 型有机材料、阴极金属及阳极金属所构成。电子(空 穴)由阴极(阳极)注入，经过 n 型(p 型)有机材料传导至发光层(一般为 n 型材料) ，经由再结 合而放光。一般而言，OLED 组件制作的玻璃基板上先溅镀 ITO 作为阳极，再以真空热蒸 镀之方式，依序镀上 p 型和 n 型有机材料，及低功函数之金属阴极。由于有机材料易与水 气或氧气作用，产生暗点(Dark spot)而使组件不发亮。因此此组件于真空镀膜完毕后，必 须于无水气及氧气之环境下进行封装工艺。 在阴极金属与阳极 ITO 之间，目前广为应用的组件结构一般而言可分为 5 层。如图一 所示，从靠近 ITO 侧依序为：空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入 层。OLED 组件系由两层有机材料所构成，分别为空穴传输层及电子传输层。其中空穴传 输层为 p 型之有机材料，其特性为具有较高之空穴迁移率，且其最高占据之分子轨域 (Highest occupied molecule orbital，HOMO)与 ITO 较接近，可使空穴由 ITO 注入有机层之能 障降低。 [图一：OLED 结构图] 而至于电子传输层，系为 n 型之有机材料，其特性为具有较高之电子迁移率，当电子 由电子传输层至空穴电子传输层接口时，由于电子传输层之最低非占据分子轨域(Lowest unoccupied molecule orbital，LUMO)较空穴传输层之 LUMO 高出甚多，电子不易跨越此一能 障进入空穴传输层，遂被阻挡于此接口。此时空穴由空穴传输层传至接口附近与电子再结 合而产生激子(Exciton)，而 Exciton 会以放光及非放光之形式进行能量释放。以一般萤光 (Fluorescence)材料系统而言，由选择率(Selection rule)之计算仅得 25%之电子空穴对系以放 光之形式做再结合，其余 75%之能量则以放热之形式散逸。近年来，正积极被开发磷光 (Phosphorescence)材料成为新一代的 OLED 材料[2]，此类材料可打破选择率之限制，以提高 内部量子效率至接近 100%。 在两层组件中，n 型有机材料－即电子传输层－亦同时被当作发光层，其发光波长系 由 HOMO 及 LUMO 之能量差所决定。然而，好的电子传输层－即电子迁移率高之材料－ 并不一定为放光效率佳之材料，因此目前一般之做法，系将高萤光度的有机色料，掺杂 (Doped)于电子传输层中靠近空穴传输层之部分，又称为发光层[3]，其体积比约为 1%至 3%。 掺杂技术开发系用于增强原材料之萤光量子吸收率的重点技术，一般所选择的材料为萤光 量子吸收率高的染料(Dye)。由于有机染料之发展源自于 1970 至 1980 年代染料雷射，因此 材料系统齐全，发光波长可涵盖整个可见光区。在 OLED 组件中掺杂之有机染料，能带较 差，一般而言小于其宿主(Host)之能带，以利 exciton 由 host 至掺杂物(Dopant)之能量转移。 然而，由于 dopant 能带较小，而在电性上系扮演陷阱(trap)之角色，因此，掺杂层太厚将会 使驱动电压上升；但若太薄，则能量由 host 转移至 dopant 之比例将会变差，因此，此层厚 - 1 - SSD1332 65K OLED LCM 產品設計課 度必须最佳化。 阴极之金属材料