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第11 章 刻 蚀 第第 1111 章章 刻刻 蚀蚀 第 11 章 刻 蚀 第第 1111 章章 刻刻 蚀蚀 1 显影（第 次图形转移） 选择曝光 11 2 刻蚀（第 次图形转移） 22 2 刻蚀（第 次图形转移） 22 去胶 对刻蚀的要求 对刻蚀的要求 1 11、适当的刻蚀速率 通常要求刻蚀速率为每分钟几十到几百纳米。 2 22、刻蚀的均匀性好（片内、片间、批次间） 刻蚀均匀性一般为5% 。大量硅片同时刻蚀时，刻蚀速 率会减小，这称为刻蚀的负载效应。 负载效应 3 33、选择比大 选择比指对不同材料的刻蚀速率的比值。 4、钻蚀小 44 5、对硅片的损伤小 55 6 66、安全环保 钻蚀（undercut）现象 uunnddeerrccuutt 对刻蚀速率的各向异性的定量描述 R A1 L R V R R 式中，RR 和 RR 分别代表横向刻蚀速率和纵向刻蚀速率。 L V LL VV A = 1 A = 0 AA == 11 表示理想的各向异性，无钻蚀； AA