应用于矽异质接面太阳能电池之基板沉积前电浆处理研究.pdfVIP

應用於矽異質接面太陽能電池之基板沉積前電漿處理研究 謝孟樵1* 李彥志2 陳世志3 研究生 研究生 副教授 、 、 1 2 3國立雲林科技大學 （64002 雲林縣斗六市鎮南里 16 鄰大學路3 段 123 號） * yuntech.edu.tw 摘要 本研究使用反應式磁控濺鍍機電漿處理 P 型多晶矽基板並且沉積 N 型非晶矽薄膜討論其電性與物 性，而且應用於異質接面太陽能電池以達到提升非晶矽與多晶矽薄膜介面的品質。使用電壓對電流量測 來探討有電漿處理與氫電漿處理之試片漏電流分析。而X 光繞射分析儀量測有電漿處理與無電漿試片後 熱退火處理觀察N 型非晶矽結晶現象。 在電性量測方面我們在未做任何電漿處理前，其PN接面之開啟電壓turn-on Voltage大約為0.3V ，而在 經過工作瓦數50W壓力4mTorr做30sec之事前H電漿處理後之turn-on Voltage提高至0.5V ，而再進一步的 對基板做30W 3mTorr 30sec之N 2 電漿處理後，其pn接面之開啟電壓更提升至0.75V 。而物性量測方面經 過有與無電漿處理分別式後熱退火處理觀察到有電漿處理可以抑制N型非晶矽薄膜結晶現象。 關鍵字 ：射頻磁控濺鍍 、電漿處理 、太陽能電池 1. 前言 太陽能光電相關工業發展迅速，90 年代以來常以30%~40%之成長率快速上升，甚至達到60%之增長 速度，為非常受人矚目之朝陽產業，欲實現太陽能源應用之普及化，目標無非是高的光電轉換效率及低 的生產製作成本。 而近年日本sanyo所推出的HIT [1] [2] (Heterojunction with an Intrinsic Thin layer)矽異質接面太陽能電 池最受到大眾矚目，HIT太陽能電池最大的特色是在結晶矽基板及窗層非晶矽之間加了一層很薄的本質非 晶矽層(intrinsic Silicon layer) ，使太陽能電池之開路電壓Voc及填充因子FF有顯著的提升，且其光電轉換 效率高達23% 。然而成本高，目前仍無法量產。 在矽異質接面太陽能電池製備中，其中有個關鍵點就是要如何抑制磊晶成長(Epitaxial growth)的發 生，由於這個部分磊晶成長一旦延伸至本質層(i-layer)甚至接觸到摻雜層(n+-layer) ，將會有高的缺陷[3] ， 造成高的暗電流及開路電壓Voc 的嚴重下降，由眾多研究指出[3][4] [5] [6] [7] ，在沉積基板溫度高於200℃ 條件下成長薄膜，界面處已有過度磊晶成長的現象，而本研究將著重於如何改善此現象。 本篇研究主要內容包括(1)探討議題為在沉積前對基板做H電漿處理[8][9]預期能填補多晶矽表面缺陷 (2)探討進一步施打N 2 電漿 ，使a-Si/c-Si之間形成一SiNx阻障層試圖達抑制向上磊晶成長的效果。 2. 實驗方法 本研究主要以射頻磁控濺鍍系統製作太陽能電池之元件，選用P型多晶矽晶片，作為元件的基板-主要 探討議題為在沉積前對基板做H電漿處理預期能填補多晶矽表面缺陷 ，其處理參數如表2 ，之後再進一步 施打N2電漿 ，使a-Si/c-Si之間形成一SiNx阻障層來達到如傳統i-層的鈍化及抑制向上磊晶成長的效果 ，處 理參數如表3 。整個製作流程如圖1所示 ，在p-type基板上沉積Al背電極 ，先做一次450℃5min氮氣熱處理 ， 接著開始對基板做電漿事前處理，之後沉積150nm厚之窗層N-Si layer及Ag上電極 ，以達到Al back contact / p-type poly Si