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光电倍增管的工作原理 简答题 简要阐述能带理论的价带、导带、禁带、带隙的定义。 能带中电子按能量从低到高的顺序依次占据能级。与最外层价电子能级对应的能带称为价带。 价带上方是未被电子占据的空能带。价电子到达该空带后将能参与导电，因此该空能带又称为导带。 价带和导带之间不存在能级的能量范围叫做禁带。 禁带的能量宽度便称作带隙。 直接带隙与间接带隙 简答题 结合下图阐述太阳能电池(光伏元件)的基本工作原理。 n型半导体很薄（p型通常是n型的100倍以上）掺杂比较高 鱼骨状电极，增透膜 掺杂浓度高，相应的空间电荷区（耗尽层）的宽度小 波长0.5~0.7μm 中波长 耗尽区； 波长0.4μm附近1μm范围吸掉；0.9~1.1μm长波长的光 ▲在耗尽区产生的电子空穴对，在内建电场的作用下进行分离；而在n区和p区要依据扩散作用。 ▲长波长光子在p区被吸收，Le少数载流子 穿透深度 ▲短波长光子在n区被吸收，Lh少数载流子 可以认为Lh+W+Le这段宽度对太阳能电池有贡献，电子的穿透深度比空穴的要长，LeLh 所以选择p区比你n区宽很多(100多倍) 简答题 结合右图阐述PIN光电二极管的基本工作原理。 pin半导体元件的理想化结构如图所示为p+-本征-n+的结构；本征层的浓度小于p+和n+区域，而且宽度大于p+和n+区，典型值为5~50μm，以特殊应用而定。在理想化pin光二极管，为方便起见，我们可以使用i-Si当作真正的本征半导体。当pin结构形成时，空穴和电子分别由p+和n+区往i-Si层扩散，在i-Si层的空穴与电子复合而消失，这会在p+区留下薄的带负电荷的受主离子层，在n+区留下薄的带正电荷的施主离子层。在i-Si层有均匀的内建电场，电场方向是由正的施主离子指向负的受主离子，与pn接面光二极管比较，pn接面耗尽层的内电场是不均匀的。在没有外加偏压之下，内建电场E0会阻止多数载流子进一步扩散到i-Si层而达成平衡。 简答题 LED发光的原理 LED （Light Emitting Diode ），是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，空穴占主导地位，另一端是N型半导体，主要是电子。这两种半导体相连就形成一个“P-N结”。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。 简答题 简述LED(发光二极管) 与LD(激光二极管)的区别。 (1)在工作原理上的差别：LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光，而LD是受激辐射复合发光。 (2)在结构上的差别：LD有光学谐振腔，使产生的光子在腔内振荡放大，LED没有谐振腔。 (3)效率上的差别 ：LED没有临界值特征，光谱密度比LD小几个数量级，LED发汇出光功率小，发散角大。 简答题 简述目前产生半导体白光光源主要有哪几种种方式。 三基色白光光源 紫外LED激发白光光源 蓝光LED激发白光光源 基于蓝光LED，通过荧光粉激发一个黄光，组合成为蓝光 通过红、绿、蓝三种LED组合成为白光 基于紫外光LED，通过三基色粉，组合成为白光 简述目前产生半导体白光光源主要有哪几种种方式。 简答题 简要pn光电二极管的原理。 pn光电二极管有一个p+n型的结面,也就是p型的受主浓度Na远大于n型施主浓度Nd。照光面有一个环状电极的窗口，它允许光子进入这个元件，也有一个降低反射光的增透膜(antireflection coating)。p+面一般很薄(低于1微米) 。光电二极管是在反向电压作用下工作的，没有光照时，反向电流极其微弱，叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十微安，称为光电流。光的强度越大，反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化，这就可以把光信号转换成电信号，成为光电传感器件。 pn光电二极管 简答题 简要LD(激光二极管)中的粒子数反转的实现途径。 在PN结上施加正向偏置，则有电流流过PN结，即电子由N区注入到P区，而空穴由P区注入到N区。提高偏置电压，电流增大到某一定值时，就会使有源区材料的导带中能级上电子占有的几率大于价带中相对应能级上电子占有的几率，从而发生粒子数分布反转 简答题 阐述CCD中电荷储存的原理。 构成CCD的基本单元是MOS（金属-氧化物-半导体）结构 如图I（a）所示，在栅极G施加正偏压UO之前，P型半导体中空穴（多数载流子）分布是均匀的。当栅极施加正偏压UG（此时UG小于P型半导体的阈值电压Uth）后，空穴被排斥，产生耗尽区，如图I（b）所示。偏压继续增加，耗尽区将进一步向半导体内延伸。当