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Chapter 9 蝕刻 1 目標 ‧熟悉蝕刻的相關術語 ‧比較溼式蝕刻與乾式蝕刻的差別 ‧列出至少三種在IC製造中需要被蝕刻的材 料 ‧敘述電漿蝕刻製程的順序 ‧瞭解蝕刻製程在安全上的考量 2 大綱 ‧簡介 ‧蝕刻基礎 ‧溼式與乾式(電漿)蝕刻 ‧電漿蝕刻製程 ‧製程趨勢 3 蝕刻的定義 ‧從晶圓表面移除材料的技術 ‧化學的、物理的、或兩者並用 ‧選擇性的區域或整面全區蝕刻 ‧選擇性的蝕刻將光阻上的設計圖案轉移至晶 圓表面 4 閘極光罩對準 閘極光罩 光阻 多晶矽 STI USG P型井區 5 閘極光罩曝光 閘極光罩 光阻 多晶矽 STI USG P型井區 6 顯影 硬烘烤/ /檢查 光阻 多晶矽 STI USG P型井區 7 多晶矽蝕刻 多晶矽 光阻 PR STI USG P型井區 8 多晶矽蝕刻 (續 ) 閘極氧化層 多晶矽 光阻 STI USG P型井區