icp刻蚀gap表面形貌控制.pdfVIP

第8卷 第3期 纳 米 技 术 与 精 密 工 程 Vo1．8 No．3 2010年 5月 NanotechnologyandPrecisionEngineering Mav 2010 GaP SurfaceProfileControlThroughICP Etching JIANGWen—jing，XUChen，DENGChen，GAOWei，SHENGuang—di (OptoelectronicTechnologyLaboratory，SchoolofElectronicInformationandControlEngineering， BeijingUniversityofTechnoloyg，Beijing100124，China) Abstract：EtchinganisotropyofGaPreliesontheetchingparametersandtheshapeofthemask，yetitis verydifficulttoobtaintherepeatablemaskshape．Inthispaperamethodtocontrolthesurfaceprofileby changingtheparametersofinductivelycoupledplasma(ICP)machineitselfratherthandependingonthe indefinitemaskshapewasstudied．ItisconcludedthatcathodeRF—powerandchamberpressurearethe twomainparametersinthesurfaceprofilecontro1．ThesmallertheRF—poweris，thebiggertheetching angleobtained；thehigherthechamberpressureis，thebiggertheetchingangleachieved．BC13plasma chemistry isgenerallyusedtoetchGaPcompoundsemiconductorsinaplanarICPreactor，intowhichthe Arplasmachemistrywasaddedinthisstudytoallow theplasmatomaintainhighiondensityconditionsO— verabroaderrangeofoperatingpressure． Keywords：inductivelycoupledplasma(ICP)etching；etchingprofile；plasma ICP刻蚀 GaP表面形貌控制 蒋文静，徐 晨，邓 琛，高 伟，沈光地 (北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术实验室，北京 100124) 摘 要：不同角度的GaP表面形貌刻蚀主要依赖于刻蚀参数的调节以及光刻胶的形貌，但要得到能够重复的光刻 胶形貌是很 困难的．研究了如何通过调节感应耦合等离子 (ICP)刻蚀仪器本身的参数，而不依赖于不定的光刻胶形 貌来得到可重复的表面形貌．通过研究可知，射频功率与腔室压强是影响表面形貌的最重要的两个参数．射频功率 越小刻蚀得到的角度越大，腔室压强越大刻蚀得到的角度也越大．通常BC1等离子体被用来作为GaP的刻蚀气体， 但为了维持所需的等离子浓度 以及更大的操作压强，Ar被加入刻蚀气体中． 关键词：感应耦合等离子刻蚀；刻蚀形貌；等离子体 中图分类号：TN305 文献标志码：A 文章编号：1672—6030(2010)03-0281-03 GaP iSa