第09章-二极管和晶体管汇总.ppt

作业1：P263-266页 A选择题：9.2.1、9.2.2、9.3.1 B基本题： 9.2.4（b）、9.2.6、9.3.3 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * (1)uc=2.3cos(4t-1490)V (2)P1=8.8W * 　　1978年，英特尔发布了第一款16位处理器8086。含有2.9万个晶体管。 晶体管被认为是现代历史中最伟大的发明之一，在重要性方面可以与印刷术，汽车和电话等的发明相提并论。晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件。晶体管在当今社会的重要性主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。 * * * * * 注意:实际使用中要加保护措施 K U L R iL K U L V R iL uV 例9.3：保护电路 D 9.3 稳压二极管 1. 符号 UZ IZ IZM ? UZ ? IZ 2. 伏安特性 稳压管正常工作时加反向电压 使用时要加限流电阻 稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。 _ + U I O 3. 主要参数 (1) 稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。 (2) 电压温度系数? 环境温度每变化1?C引起稳压值变化的百分数。 (3) 动态电阻 (4) 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM (5) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。 4. 稳压原理 ~ + — U0 RL + C + — Ui Dz Iz Io I R 当电源波动或负载电流的变化引起Uo变化时 Uo? ? Uz? ? Iz? ? ? I? =(Iz+Io ) ? UR? Uo ? =Ui—UR 限流电阻必有，起到电压调节作用和保护作用。 9.3 稳压二极管 1. 符号 UZ IZ IZM ? UZ ? IZ 2. 伏安特性 稳压管正常工作时加反向电压 稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。 _ + U I O 例9.3.1 求通过稳压二极管的电流IZ？R是限流电阻，其阻值合适否？ IZ DZ R=1.6kΩ +20V UZ =12V IZM =18mA 解: IZIZM, 电阻值合适 V0 使用时要加限流电阻 9.4 晶体管 9.4.1 基本结构 9.4.2 电流分配和放大原理 9.4.3 特性曲线 9.4.4 主要参数 1. NPN 型三极管 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极C 基极B 发射极E N N+ P E C B 符号 9.4.1 基本结构 9.4 晶体管 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 　 　 C B E N 集电极C 发射极E 基极B N P P+ N 2. PNP型三极管 晶体管-半导体三极管 频率： 高频管、低频管 功率： 材料： 小、中、大功率管 硅管、锗管 类型： NPN型、PNP型 半导体三极管是具有 电流放大功能的元件 EC RC IC UCE C E B UBE 共发射极接法放大电路 9.4.2 电流分配和放大原理 三极管具有电流控制作用的外部条件 : （1）发射结正向偏置； （2）集电结反向偏置。 对于NPN型三极管应满足: UCB 0 UBE 0 即 VC VB VE 对于PNP型三极管应满足: UEB 0 UBC 0 即 VC VB VE 输出 回路 输入 回路 公 共 端 EB RB IB N N P 发射区向基区 扩散电子 IE IB 电子在基区 扩散与复合 集电区收集电子 电子流向电源正极形成 IC IC N P N 电源负极向发射 区补充电子形成 发射极电流IE 三极管的电流控制原理 EB正极拉走电 子，补充被复 合的空穴，形 成 IB VCC RC VBB