第5章薄膜应用-2.pptVIP

* 为了降低薄膜的电阻率，可以在制备时掺入SbCl3等掺杂剂、并且使薄膜偏离化学比（如x=0.1的SnO2-x）。浸涂法将500～700℃的玻璃衬底浸入沸腾的上述溶液，取出后缓慢冷却，就可以得到比喷涂法更均匀的SnO2薄膜。 SnO2薄膜具有四方的金红石结构(a=0.7438nm，c=0.3188nm)，高温制备得到（110）织构，低温制备得到（200）织构。用上述方法得到的SnO2薄膜电阻率约为4×10-4??cm。 * 为了进一步降低电阻率，可以制备氧化物/金属/氧化物复合膜，如SnO2/Au/SnO2复合膜等，其中的金属膜厚度小于2nm，此时Au、Ag等金属膜具有良好的透光性。 也可以制成Bi2O3(45nm)/Au(13nm)/ Bi2O3(45nm)、TiO2(18nm)/Ag(18nm)/ TiO2(18nm)、SiO/Au/ZrO2等以金属为主的复合导电膜，这里底层氧化物主要用于避免很薄的金属膜形成厚度不均匀的岛状结构，顶层氧化物主要用于保护强度偏低的金属膜。这种复合膜的导电性优于单层的氧化物导电膜，透光性也很接近氧化物导电膜，但制备工艺较复杂。 * ②浸渍法 与喷雾法相同，将玻璃衬底加热到500～700℃，同时将主要溶解有锡盐的有机溶液加热至沸腾，然后将玻璃短时间地浸入溶液后取出，慢慢地冷却。这样得到的膜质地较硬，与喷雾法相比，在长、宽等方向上的均匀性也很好。 ③化学气相沉积法 将玻璃衬底加热至高温，并使其表面吸附金属有机化合物的热蒸气，然后通过喷涂在基片表面上引起分解氧化反应，由此析出金属氧化物。金属有机化合物可用(CH3)2SnCl2等；并且，还可以掺杂SbCl3。 * ④溅射法 锡掺杂的In2O3(tin-doped indium oxide，简称ITO)薄膜是一种n型半导体材料，它具有较宽的带隙（3.5eV～4.3eV）， 较高的载流子密度（1021cm-3）。 ITO的制备方法很多，常见的有喷涂法、真空蒸发、化学气相沉积、反应离子注入以及磁控溅射等。在这些方法中，溅射法由于具有良好的可控性和易于获得大面积均匀的薄膜，又能在线连续运转，还能把SiO2、Cr、Al等材料和ITO连续镀膜，因此广泛使用。 * 用溅射法制备ITO膜可以利用两种靶材。 一种是利用In-Sn合金靶在氧气气氛中反应溅射，合金靶价格便宜而容易回收，因此已开始使用这种靶。用合金靶溅射时，必须把很多氧气导入到溅射台中反应。 但是如果控制不好氧气的导入量,会发生基板内的电阻率分布恶化、连续运转时欠缺稳定性等问题。 溅射法控制非常困难，而且无法满足薄膜高性能化的要求，目前已基本上弃用合金靶。 * 另一种是现在普遍采用的ITO(铟锡氧化物)靶溅射法。以前使用的较低密度ITO靶经长时间使用时，表面发生突起并黑化。由于这个黑化层，膜的质量下降，因此必须清除。 为了防止这个黑化层和实现低电阻化,现在靶材的制备方面，都着力进行高密度化。 * ④溅射法 溅射法制备ITO薄膜主要是利用直流（DC）和射频（RF）电源在Ar-O2混合气体中产生等离子体，对In：Sn合金靶或In2O3、SnO2氧化靶或陶瓷靶进轰击，以便在各种衬底上获得ITO薄膜。 当使用氧化靶或陶瓷靶时也可只在纯氩气中进行溅射。实验得出：ITO薄膜的透光性也优于SnO2薄膜。 * 透明导电薄膜的应用 ITO薄膜还具有许多其它优异的物理、化学性能，例如高的可见光透过率和电导率，与大部分衬底具有良好的附着性，较强的硬度以及良好的抗酸、碱及有机溶剂能力。 因此，ITO薄膜被广泛应用于各种光电器件中，如LCDs(Liquid Crystal Display)、太阳能电池、能量转换窗口、固态传感器和CRTs。 透明导电膜还在电子照相、防静电、热反射、光记录、磁记录等领域中有非常广泛的用途。表1列出了透明导电薄膜在电子照相、显示材料、防静电、热反射、光记录、磁记录等领域的应用。 * * 应用领域 特性要求 用途 一些有用性质 表面电阻/(?/?) 透光率/% 电子照相记录 104~107 ?80 幻灯片、缩微胶片 面积大、可弯曲、透明度高 固定显示 ?5?102 ?85 EL、液晶、电致变色 重量轻、厚度薄、易加工、耐冲击 光存储器 ?103 ?80 热塑型记录、铁电存储器 面积大、可弯曲、透明度高 终端设备 ?5?103 ?80 透明平板（透明开关） 面积大、可弯曲 防静电（静电屏蔽） ?109 ?85 金属窗、电视阴极射线管、温室窗、电磁场屏蔽 耐冲击、可弯曲、面积大、易加工、易加工 光电转换器件 ?5?102 ?80 太阳能电池异质窗光放大器 易加工、透明度高 热反射 ?102 ?80 热反射选择性透射膜 面积大、耐冲击 面积发热体 ?5?102 ?80 除霜、飞机、汽车、制冷机 耐冲