奈米实验一预报.doc

奈米實驗一 SPM操作原理介紹與實作 ──奈米材料表面圖像觀察 指 導 教 授 ： 林 敏 聰 助 　 　教 ： 黃 伯 群 資 訊 工 程 學 系 三 年 級 陳 贊 羽 　一 原理 由實驗得知，再施加一偏壓時，當導體的樣品和探針距離很近時（但未接觸），會有穿隧電流I（tunneling current），其中I　α× e(-β× V × d ) ，α、β為係數，V為施加於探針與樣品間的偏壓，d為位能障礙的寬度。穿隧電流的大小和樣品和針尖間的距離，還有施加的電壓大小有關。探針的直徑小於２０nm。以此方式量測量物體表面性質的顯微鏡稱STM，此種顯微鏡無法量測絕緣體的樣品。 掃描穿隧顯微術即利用這種電子穿隧極為金屬探針（一般為鎢針），另一極為導電樣品，當它們相距很近，並在其間加上微小電壓，則探針所在的位置便有穿隧電流產。藉探針在樣品表面上來回掃描，並記錄在每一取像點（pixel）上的高度值，便能構成一幅二維圖像。該圖像之解析度取決於探針結構，如果探針尖端只今幾顆原子，則表面原子排列情形便能獲知。因此，掃描穿隧顯微鏡是研究導電樣品表面原子性質的有利工具。 掃描穿隧顯微鏡的取像方式，一般可分為下列三種： 定電流取像法（constant current mode） 該法乃是以設定的穿隧電流（~1nA）為回饋訊號。由於探針對樣品表面之間距和穿隧電桫有十分靈敏的關係，設定穿隧電流值即鎖定探針和樣品表面之間距。當探針在樣品表面掃描時，探針必須隨表面之起伏調整其高度（即z值）；因此，以探針的高度變化來呈像，就反映出樣品表面的形貌。 定高度取像法（constant height mode） 該法乃是直接以穿隧電流值來呈像。當探針以設定的高度掃描樣品表面時，由於表面的高低變化，導致探針和樣品表面的間距時大時小，穿隊電流值也隨之改變。該法的好處是可做快速掃描以捕捉一些表面動態；缺點是掃描範圍內的樣品表面起伏不能太大，否則極容易損壞探針。 嚴格說來，掃描穿隧顯微鏡取得的像，除了反應樣品表面的幾何形貌，也包含表面的局部電子特性。這是因為穿隧電流的大小除了和探針及樣品的間距有關，也和探針所在位置的表面電子密度有關。為探討表面電子的空間分布，首先必須排除電流信號中的幾何因子，然後再就信號做能量解析，如此便能得到某一能級的表面電子的空間密度分布（local density of state, LDOS）。 電流密度取像法（current imaging tunneling spectroscopy, CITS） 該法乃結合了上述兩種方法，並在其中引進偏壓調變為取像變數，作法是以定電流模式為架構，讓探針在回饋系統的探制下，在掃描過程中保持一定的探針／樣品間距，然後在每一點，瞬時切關回饋作用，並利用這段期間，將偏壓在預定的範圍內調變，同時記錄不同偏壓所產生之穿隧電流。一般偏壓的調變均已數位化，將某一偏壓在掃範圍內各點的電流組合起來，即構成一幅二維電流密度分布圖。 二 歷史 1987年賓尼格還是大學研究所的研究生，有一天羅樂爾至賓尼格的大學做專題演講，介紹IBM準備在蘇黎世建立專門研究固體表面的實驗室，在討論時賓尼格建議利用量子現象中之真空穿隧效應來設計一新的研究工具，這個想法深獲羅樂爾的贊同。同年十一月賓尼格獲博士學位後立即到蘇黎世的IBM表面科學實驗室展開研究工作。最主要是這項新構想下的探針設計製作及如何掃描所欲觀測之表面。真空穿隧效應的產生，需一個非常尖銳的探針極端地接近樣品的表面，到探針尖端及樣品表面的電子波函數相互重疊，這個距離需小至5埃左右別忘了一埃等於10-10米，這個距離只有可見光波長的千分之一。這時供給約1伏特的電位差於探針及樣品之間，將系統抽成真空後，電子即可穿越電位障壁而發生量子效應下的穿隧現象，於是我們可測出所謂的穿隧電流。由於波函數與距離是依指數關係而遞減，因此穿隧電流大小對探針尖端與被探測表面之間的距離變化非常敏感。當探針掃瞄樣品表面時，穿隧電流的強弱即可反映出表面的平滑程度，可貴的是：若探針夠尖，其鑑別能力可達原子的範圍。從上述可知，該顯微鏡的製作最大的技術困難有三：一是如何克服探針的熱飄移及實驗室的微小震盪以維持探針的穩定性；二是如何製作尖細的尖端，以提高鑑別能力；三是如何掃瞄樣品的表面；這些困難正是蘇黎世IBM實驗是研究群所欲克服的。熱飄移的問題困擾著賓尼格等人相當長的時間，後來他發現利用鎢製的探針，若過份細長較易受到熱震盪的影響，粗短的探針有助於排除這方面的影響。至於實驗室的低頻震盪的克服，是將顯微鏡懸浮於超導金屬所產生之磁場中以去除系統的震盪（這是屬於第一代的設計）。至於探針尖端的製作是利用直徑約為一毫米的鎢絲加以細心研磨，可使尖端