Sol—Gel法制备Al掺杂ZnO薄膜的微结构及电学特性.pdfVIP

第27卷 湖北师范学院学报(自然科学版) VoL27 第4期 Journal of Hubei Normal University(Natural Science) No．4，2007 Sol—Gel法制备A1掺杂 ZnO薄膜的微结构及电学特性 王秀章‘，刘红日 ，晏伯武2，程娜娜 ，武婷婷 (1．湖北师范学院物理系，湖北黄石 435002；2．黄石理工学院，湖北黄石 435002) 摘要：采用溶胶一凝胶法在sj(100)衬底上制备了不同浓度 掺杂的ZnO(AZO)薄膜。XRD研究表明 掺杂对薄膜的结晶产生明显的影响。用四探针法测量其电阻特性，表明在1 mol％AI掺杂，600~C下退 火，其电阻率最低。 关键词：溶胶一凝胶法；ZnO；AI¨掺杂；导电薄膜 中图分类号：TQ174．758 文献标识码：A 文章编号：11309-2714(2007)04—13001—04 作为良好的半导体材料，透明导电膜(TCO)在光电池、压电转换和液晶显示等诸多方面具有广