离子注入 - 寻材问料 让天下没有难找的材料.ppt

离子注入小结： (1) 注入离子在靶内的纵向浓度分布可近似取高斯函数形式 (2) 在平均投影射程 x=Rp 处有一最高浓度，最大浓度与注入剂量关系 (3) 平均投影射程两边，注入离子浓度对称地下降。离平均投影射程越远，浓度越低。 本章重点 离子注入工艺机理、注入方法； 核、电子阻止，杂质分布函数、特点； 注入损伤：原因、种类、主要影响因素； 退火：机理、方法； 离子注入和热扩散比较 * 智能剥离技术 的工 艺过程 如 图所示 。 它主要包括三个步骤：（1）离子注入 室温下 ,以一 定能量 向硅片 注入一 定剂量 的H十 ,用 以在硅表层下产 生一个气泡层 。（2）键合 将硅片 与另一硅片 进行严格清洁处 理 后 ,在室温下键合。硅片 A、B之 间至 少有一 片 的表面已用热氧化法生长 了SiO2 层 ,用 以充当未来 结构 中的绝缘层 。整个B 片将成为 结构 中的支撑片（3）两步热处 理 第一步热处理使注入、键合后 的硅片（A 片） 在注H+ 气泡层处分 开 ,上层硅膜与B片键合在一 起 ,形成 SOI结构 。A片其余的部 分可循环作支撑片使用。最 后将形成 Unibonded SOI 片进行高温处 理 ,进一步提高 SOI的质量并加强键合 强度 Schematic of Ion Source Chamber Extraction assembly Source ch