全新IGBT 模组低电感带状线概念实作 - 电子工程专辑.PDF

全新IGBT模組低電感帶狀線概念實作 作者：Georg Borghoff / 英飛凌科技(Infineon) 低電感帶狀線概念具備數個與IGBT 模組切換行為有關的優點 ，但在實際封裝實作時， 還必須考慮到許多條件上的限制 。本文說明低電感帶狀線概念於新高功率模組對稱切 換的可能實作 低電感和對稱概念對完整切換的影響已有多本出版物曾經論及 [1] [2] 。內部導體設計、 晶片配置，以及內部導體的連接，無論是對於絕緣陶瓷或外部匯流排系統，都與雜散 電感和模組對稱有很大的關聯 。最好的低電感設計概念就是使用半橋式IGBT 模組 ，此 模組只使用內部的低電感連接，將上臂和下臂開關實作於絕緣陶瓷基板 ，因此可縮短 兩個開關間的換流路徑長度 。 帶狀線設計 從外部的直流端子到IGBT 和二極體的內部導體，最好的設計方式就是使用帶狀線 。兩 個帶狀線導體帶有方向相反的相同電流 ，如圖一所示 。 圖一 帶狀線概念，兩片金屬帶電流流向相反 從圖一的公式中，看似非常容易產生低電感的設計 ：連接器縮短、加寬，並盡可能縮 短距離 ；但仍有若干限制必須遵守。 IGBT 模組尺寸決定設計配置 雜散電感主要與所使用導體板尺寸呈函數關係 ，因此這些零件的設計主要取決於模組 外部尺寸 。為達到理想的切換行為，最好將所有晶片安排在同一排 ，如此一來，晶片 的數量將決定模組的寬度 。但實際上這會造成結構過長且狹窄，不符合縮小系統尺寸 的需求。因此，內部帶狀線的寬度將受限於平行排列晶片的尺寸 。 Copyright © 2014 eMedia Asia Ltd. 電子工程專輯網站()所有內容均受版權保護 這項研究所選用的晶片配置，可在系統上下臂實作達到 700 安培的額定電流 ，模組寬 度大約 80mm 。考慮到外殼所需要的額外空間和組裝距離 ，最大可用寬度將小於模組 寬度。尤其對有 3300V 以上較高阻斷電壓的 IGBT 封裝來說，更必須符合空間距離及 沿面距離的標準 。請見IEC 60664-1 ，其中說明絕緣配合所需要的距離 。 最小距離取決於電壓等級和外殼材料 ，而滿足端子間沿面距離和將空間距離縮到最小 的方法，就是採用凹槽和更高 CTI 的外殼材料 。在本範例中 ，所需最小沿面距離為 28mm ，可使端子間隔相距14mm 。 在我們的研究中，我們考慮將直流電供應至IGBT 模組中央 。驅動器直接安裝於模組， 能夠降低驅動器的電感連接 。對於含輔助集極接點的半橋，驅動板上有三種不同的電 壓等級需要考慮適當的間距。 將驅動板的面積加到最大，有助於將直流端子移到功率模組的邊緣，如此一來就能利 用中央的空間 。但是，這會增加內部導體的長度 。可行的解決辦法是使用斜面設計 ， 相較於垂直彎曲的解決方案，使用斜面設計能縮短導體的長度 。 導體間距 為了隔離DC + 和DC – 導體的電位，中間需要使用絕緣層 。而為達到低電感，則必須 使用厚度較薄的材料 。可用的材料之一，是非常薄的耐熱錫箔 ，像是聚亞醯胺或鐵氟 龍錫箔，厚度甚至可以薄至0.2mm 以下 ，還可以保持穩定的絕緣特性。 使用錫箔的困難點在於必須以人工方式進行組裝，而且保存困難。另一種可能方式是 使用射出成型，在導體內嵌入塑膠，可以解決這個難題 ，但缺點是製程成本高昂，並 且在熱循環情況下可能會產生脫層 。 搭配傳統的射出成型間隔裝置，在沒有焊孔或其他瑕疵風險的情況下，塑膠材料正常 厚度可達 1mm 。絕緣層厚度對整體設計的影響，需在模擬各種不同情況下進行計算 ， 結果請見圖二 圖二 模組離散電感與絕緣厚度的函數關係 Copyright © 2014 eMedia Asia Ltd. 電子工程專輯網站()所有內容均受版權保護 0.1mm 錫箔的電感最低可到 5nH 。根據前述的限制條件 ，使用塑膠間隔裝置是較好的 做法，如此可達到將近7nH 的離散電感。 晶片連接 很可惜的是，如果更深入探討導體至陶瓷基板的連接，便會發現我們無法使用「(帶狀) 線」進行連接 。連接上臂和下臂 IGBT 中間的引線，為考慮到換向電流，必須電位分 離 。圖三顯示可能的連接點