窄线宽半导体激光器件-红外与激光工程.PDF

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窄线宽半导体激光器件-红外与激光工程

第 卷第 期 年 月 ^6 - 红外与激光工程 -5 $ ‘IM^6 3I- !#$%$’()*(+),$(-./$/.((!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!4L* -5 窄线宽半导体激光器件 ! ! 罗 毅 黄 缙 孙长征 清华大学 电子工程系 集成光电子学国家重点实验室 北京 ! !#$ # 摘 要 分布反馈半导体激光器的线宽一般较大 难以满足光纤传感等领域的要求 根据 ! ! $ %’ 于 年提出的半导体激光器的线宽理论 通过适当设计 半导体激光器的腔长 耦合系 ! % ’()*+ !,#- ./0 数%微分增益%光限制因子!能有效地减小激光器的线宽$ 同时!空间烧孔现象也可限制./0 半导体激 ! $ ! 光器的线宽 为此需要合理设计光栅结构 在此基础上 ./0 激光器的线宽能达到几十千赫兹的量 $ ! ! $ 级 此外 采用.01 结构或者外腔结构 也可以获得相当窄的线宽 关键词 窄线宽 激光器 激光器 外腔激光器 ! ./0 .01 中图分类号!23-$# $ 文献标识码!4 文章编号!!5!--56 -5 ’-!!$5!7 !##$% ’()%’*+, -).’/$(*0/+$# -)# *’$*)- ! 89: ; = ’943 ?) = @93 %AB)C DA()C E@FBF( G(+ 8BHI*BFI*+ I) J)F(C*BF(K :LFI(M(NF*I)NO= .(LB*FP()F IQ RM(NF*I)N R)C)((*)C= 2O)CASB 9)T(*OF+= 0(U)C !#$= %A)BV 12-+#/+ 3 2A( M)(WKFA IQ KOF*HSF(K Q((KHBNX E./0V O(PNI)KSNFI* MBO(*O O SOSBMM+ FII WK( FI P((F FA( *(YS*(P()F IQ QH(* !ILFN O()O)C 4NNI*K)C FI FA( M)(WKFA FA(I*+ IQ O

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