微机4-存储器试卷.pptVIP

人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * * 微机原理与接口技术 教案 第 4 章 微机存储器 第 4 章 微机存储器 4.1 半导体存储器 4.2 存储器与系统的连接 4.3 现代存储器体系结构 4.1.1 半导体存储器的性能指标 半导体存储器具有集成度高、功耗低、可靠性好、存取速度快、成本低等优点，是构成存储器的最主要的存储器件。 ◆ 存储容量 ◆ 存取速度 ◆ 功耗 ◆ 可靠性 4.1.2 半导体存储器的分类及特点 掩膜ROM 可编程ROM EPRO E2PROM 快擦写存储器 半导体存储器 随机存取存储器 （RAM） 只读存储器 （ROM） 双极型RAM MOS型RAM 静态RAM (SRAM) 动态RAM (DRAM) 常用半导体存储器件的特点 ◆双极型RAM：基本存储电路的管子较多，存取速度快，与MOS型RAM相比集成度低、功耗大、成本高。 ◆MOS型RAM：制造工艺简单、集成度高、功耗低、价格便宜，存取速度不及双极型RAM。静态RAM（SRAM）以双稳态触发器做基本存储电路，集成度较高。动态RAM （DRAM）利用电容电荷存储信息，需附加刷新电路，采用的元件比静态RAM少，集成度更高，功耗更小。。从总体来看，DRAM优于SRAM。 ◆EPROM：是可用紫外线进行多次（脱线）擦除，可用编程器固化信息的ROM。EPROM可以多次改写，但编程速度较慢。 4.1.3 存储器芯片的基本组成 ◆半导体存储器芯片是把成千上万个基本存储电路以矩阵阵列的组织形式（称为存储体）集成在数平方厘米上的大规模集成电路。 ◆基本存储电路是存储一位二进制信息的电路，由一个具有两个稳定状态（“0”和“1”）的电子元件组成。 ◆半导体存储器芯片主要由存储体、存储单元译码电路、数据缓冲电路、读/写控制逻辑电路组成。 ◆半导体存储器芯片的引脚主要有存储单元地址线Am-1~A0、数据线Dn-1~D0、片选通线CS、读/写控制线OE和WE等。 存储器芯片的基本组成 （以静态存储器为例） 半导体存储器芯片通常由存储矩阵、单元地址译码、数据缓冲/驱动和读/写控制逻辑四部分组成。 数据缓冲器 基本存储电路 组成的 存储矩阵（体） 地址译码器 片选通 读/写选通 读/写控制逻辑 D0 A0 A1 Am-1 . . . . . . Dn-1 D1 . . . . . . 存储器芯片的容量表示 ◆存储器芯片的容量表示： 存储芯片的单元数×单元位数 例如，1 K×4 8 K×1 16K×8 ◆存储器芯片组成存储器的芯片数计算： 存储器字节数 8 芯片单元数 芯片位数 例如，组织一个64KB的RAM存储器。若用静态RAM 6116（2K×8）芯片组成，则 64/2×1=32 片；若用动态RAM 2116（16K×1）芯片组成，则 64/16×8=32片，分成4组，每组8片。 常用存储器芯片的引脚 芯片型号 M×N 地址线 数据线 控制线 SRAM6116 （静态RAM） 2K×8 A10～A0 D7～D0 CS，OE，WE DRAM2164 （动态RAM） 64K×1 A7～A0 (行列地址复用) Din Dout RAS，CAS，WE EPROM 2764 8K×8 A12～A0 O7～O0 CE，OE/VPP，PGM E2PROM 2817 2K×8 A10～A0 I/O7～ I/O0 CE，OE， WE，RDY/BUSY ◆数据线的连接： 存储器芯片的数据端Dn-1~D0可以直接和系统数据总线（DB）相应的数据位挂接起来。 ◆地址线的连接： 存储器芯片的地址端Am-1~A0可以直接和系统地址总线（AB），从A0开始的低位地址部分相应的地址线挂接起来。 4.2.1 数据、地址的连接 读/写控制线的连接 ◆把CPU读/写操作控制信号(RD，WR和M/IO)进行逻辑组合，产生存储器读MEMR和存储器写MRMW信号，分别接存储器芯片的输出（读）允许OE和写允许WE信号 。 与 与 MEMR MEMW RD M/IO WR ◆当单个存储器芯片的容量不能满足系统存储器要求时，需要用多个存储器芯片组合，