纳米Si 镶嵌SiO2 薄膜的发光与非线性光学特性的应用3 - Journal of .PDF

第 27 卷 　第 2 期 半 　导 　体 　学 　报 V ol . 27 　N o . 2 2006 年 2 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS Feb . ,2006 纳米 Si 镶嵌 SiO2 薄膜的发光与非线性 光学特性的应用 1 , 1 2 郭亨群 　林赏心 　王启明 ( 1 华侨大学, 泉州 　36202 1) (2 中国科学院半导体研究所 , 北京 　100083) 摘要 : 采用射频磁控溅射技术和热退火处理制备了纳米 Si 镶嵌 SiO2 薄膜 ,在室温下观察到光致发光现象, 峰值分 别位于 360 , 430 和 835n m , 结合吸收谱 、光致发光激发谱和 X 射线衍射分析讨论了发光机理. 利用纳米 Si 镶嵌 SiO2 薄膜的非线性光学特性可作为可饱和吸收体 ,在 N d ∶YA G 激光器中实现被动调 Q 运转. 关键词 : 磁控溅射; 纳米 Si ; 光致发光; 被动调 Q PACC : 7855 ; 4265 中图分类号 : O469 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2006) 到 200 ℃两种条件 ,溅射室本底真空度为 6 ×10 - 4 Pa , 1 　引言 溅射氩气压为 3 1Pa , 溅射功率为 300 W . 用高纯 Si SiO2 复合靶 , 改变 Si 片面积与靶的总面积的比例得 2000 年 , Pa vesi 等[ 1 ] 采用高剂量 Si 注入 Si O2 到含硅量不同的样品. 采用氮气氛中退火和真空退火 膜 ,经 1100 ℃高温退火 ,在 Si O2 基质中形成纳米 Si 两种方法 ,通过高温退火使 Si 进入 SiO2 网络中,生成 的有序分布 ,在紫外光泵浦下 , 首次观察到光增益. 均匀分布的纳米 Si . 在管式炉中氮气保护下退火温度 其他研究人员采用 P E CV D [ 2 ] 和射频磁控溅射[ 3 ] 等 分别为 900 , 1000 和 1100 ℃, 真空退火温度分别为 方法制备纳米 Si 镶嵌 Si O2 薄膜 , 对其光致发光和 600 ,700 和 800 ℃,退火时间均为 30min . 电致发光特性进行研究, 寻求实现 Si 的高效发光与 采用 B u r k e r 公司生产的 D 8 A dv a nce 型 X 射 (λ ) 受激发射的途径. 镶嵌在介质中的半导体颗粒受到 线衍射仪 = 025 1n m 对样品进行 X R D 分析. PL 介质势垒的限域作用 ,三阶非线性系数大 ,在光开关 和 PL E 谱在 V a r ia n 公司生产的 Ca r y Eclip se 荧光 和光逻辑元件等领域具有广阔的应用前景 , 近年来 分光光度计上测得. 用 U nic o 公司的 U