核微探針設備之性能與用途介紹.docVIP

核微探針設備之性能與用途介紹 余岳仲 王建萬 中央研究院物理研究所 e-mail:phycyu@ccvax.sinica.edu.tw 一、前言 　　利用小型加速器所產生的離子束對各種樣品進行定性、定量和結構分析，是六、七十年代所逐漸發展的離子束分析技術，偵測元素範圍幾乎涵蓋整個化學週期表，且偵測極限可達百萬分之一( ppm )或者更好。約七十年代初，英國Harwell實驗室首創第一部核微探針( Nuclear Microprobe )以來，一些科技先進國家的小型加速器實驗室，紛紛投入研究這門新技術，也累積不少經驗與突破，並開闢了很多的新興研究領域。 　　早期加速器的主要功能，是產生能量為百萬電子伏特( MeV )的離子束，做為核物理或核化學學者研究工具，使得核微探針的發展受到限制，加上欲將快速的離子束聚焦至微小射束點( beam spot ) ，技術上有其困難度，且當時核微探針的空間有效解析度仍比電子顯微鏡約差一個數量級，但隨著核相關領域學者轉移至使用更高能量( GeV或TeV )的加速器，留下更多的時間供其它領域探討，又適逢八十年代半導體工業的發展，離子佈植( ion implantation )、材料雜質含量和薄膜品質等種種需求，加速了離子束分析的進展，同時也提供核微探針發展的基礎，擁有核微探針設備實驗室的數目，正逐漸增加中，且挑戰如何降低射束點的大小，以迎合奈米時代的來臨。 二、常用離子束分析技術之基本原理 　　利用離子束對樣品表面進行分析，通常可以獲得下列三方面的結果：一、樣品表面元素的組成；二、這些元素在表面的含量；三、這些元素在表面的排列情況。這三方面正是我們在分析某個樣品時，常常急需知道的訊息。離子束分析技術(見圖一)的主要內容包括：粒子誘發X-射線產生( Particle Induced X-ray Emission ,?簡稱PIXE )、拉塞福背向散射光譜學( Rutherford Bcckscattering Spectrometry,簡稱RBS )及離子穿隧效應( Channeling Effect, 簡稱C )和核反應分析( Nuclear Reaction Analysis, 簡稱NRA )等[1-5]，這些核技術各有長短處，綜合加以利用即可兼取各長處及互補，不斷拓寬至各個領域的應用範圍。 PIXE主要是高速運動的離子束(通常2-3 MeV)撞擊樣品時，離子有一定的機率( 截面 )將樣品原子的內層電子游離，而形成內層電子的空缺( vacancies )，當外層電子躍遷填補內層空缺時，即產生特徵X-射線( characteristic X-ray )和發射歐傑電子( Auger electron )，而這些特徵X-射線起源於原子能階之間的躍遷，具有特定的能量，且僅與原子的種類有關，因此根據所測得之X-射線能譜，即可進行元素的定性和定量分析。RBS基本上是入射離子與靶原子核之間的大角度庫倫散射現象，藉著運動學因子( kinematic factor )、散射截面( cross section )和能量損失因子( energy loss factor ) 等物理學原理，可量測固體表面元素成份、雜質含量、元素濃度的深度分佈和觀察材料介面之間因退火或其它處理所導致的遷移現象等訊息，RBS若與離子穿隧效應相結合，也可測定雜質在晶格中的位置和晶格完善程度。而NRA是當能量為MeV的離子束若克服靶原子核的庫倫能障，且碰撞參數與原子核半徑相當時，所導致之特定反應或共振，此時散射截面並不遵守拉塞福微分散射截面，利用所測得之反應後的產物（ 如粒子或γ射線 ）能譜，可獲知靶材內的組成成份與深度分佈，此技術通常適用於偵測氫、碳、氧和氮等較輕元素。 　　進一步可利用核微探針設備，在記憶體IC上所造成單一事件擾亂( Single-Event Upsets, 簡稱SEU )和結合離子束誘發電荷電流( Ion Beam Induced Charge Current, 簡稱IBICC )等分析技術[6,7]，來探討微電子元件中記憶體所產生的狀態改變( state to alter )，並提供記憶體IC的設計函數和避免軟錯誤( soft error )的結構，這尤其是對使用於航太工業的微電子元件特別重要。 三、核微探針設備之運作原理 　　目前世界上普遍所採用的核微探針有兩種型式（見圖二），一為英國牛津式、另一則為澳洲墨爾本式，其主要差異為前者利用三組四極磁透鏡聚焦（短焦距），空間需求較小，且使用個人電腦進行自動化操控與數據擷取分析，故價格較低，僅適用於輕離子（如氫、氦離子），後者利用四組四極磁透鏡聚焦（長焦距），空間需求較大，且使用工作站進行自動化操控與數據擷取分析，故價格較高，但適用於輕、重離子。本所衡量現有實驗室空間與經費，選用英