晶振电容计算.pdfVIP

晶振电容设计的基本原则： 晶振两脚上的各种电容的等效电容等于晶振的负载电容，此时晶振的振动频率最准确。 晶振的负载电容可以在厂商提供的规格书上找到，每种晶振的负载电容都可能不一样。 晶振两脚上的各种电容包括：PCB走线上的电容，IC内部的电容等 Crystal 基本參量以及計算公式 ： L1 Crystal 内部串連電感 C1 Crystal 内部串連電容 R1 Crystal 内部串連電阻 C0 Crystal 内部並聯電容 CL Crystal 外部並聯負載電容 fs Crystal内部串聯諧振頻率 fp Crystal内部並聯諧振頻率 fL Crystal外加CL後諧振頻率 Cstray 雜散電容 P Drive Level Gain(pk) Crystal與IC閉環增益 gm IC內的互導放大係數 (1) Crystal 内部等效電路 ： (2) Crystal 内部阻抗與頻率特性曲綫 ： X(f) fs fp Frequency (3) 對於每一個Crystal來講 ：有兩個頻率 ，一個是fs(串連諧振頻率) 另一個是fp(並連諧振頻率 ） Fs可以通過以下公式計算 ： Fp可以通過以下公式計算 ： 1 1 f s = f p = C .C 2p L C 2p 0 1 L 1 1 1 C + C 0 1 (4) 雜散電容的計算 ：（一般包括Trace線的 ，pad之間的 ，pin之間的 ） a a(mil) Trace 線寬 b(mil) Trace 線長 b d(mil) Trace到ground之間距離 ε(PF/mil) 單位線長的電容值 Cpcb(pF) a×b×ε/d, d (5) IC 内部电容的计