FFS 技术 FFS结构跟IPS模式大同小异,正负电极不再是间隔排列。上基板没有电极,下基板的像素电极和数字电极之间有一层钝化层SiO2(150nm)。 IPS模式中,由于电极间距大于盒的间距和电极宽度,加电压时水平电场主要存在于电极之间,电极中心处为近似的垂直电场。电极上的液晶分子加电压时不旋转,所以它的开口率要比TN模式的要低。 FFS中,电极间的距离小于盒的间隙和电极宽度,加电压时整个液晶盒内的电场线是抛物线形状,即在电极的上方既有电场的水平分量又有电场的垂直分量,因此电极上的分子也可以旋转,从而提高了盒的透光率。 由于FFS技术中液晶是在面内旋转,使液晶分子在受到外界压力时,液晶分子复原速度很快,在受到触摸时,可以基本保持原样不变。 由于工艺复杂程度和难度的增加(通常需要经过5到6次的光刻掩膜过程),生产的良品率与成本是制约FFS技术大范围量产的主要原因 * FFS宽视角技术特点 ★ 广视角和高亮度 钝化层 公共电极 像素电极 取向层 Glass Glass 透光 光源 透光 IPS Glass Glass 光源 透光 FFS Glass 液晶分子 电场 偏振片 偏振片 偏振片 电场 液晶分子 偏振片 * 第一代FFS技术主要解决宽视角、高开口率、低功耗高亮度等问题。主要改进是采用透明电极以增加透光率 . 透明电极不会遮挡光线,所以可以实现达到较高的开口
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