一种纳米材料的制备AgSnO2.docVIP

化学共沉淀法合成AgSnO2纳米复合粉体 采用化学共沉淀法生产获得银氧化锡纳米复合粉体，该方法以锡元素，SnCl2?2H2O和硝酸根作为原料，以碳酸盐溶液作为沉淀剂。氯离子、离子强度和过度饱和对纳米粉体的影响是采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透视映射进行研究。通过化学共沉淀发可获得均匀弥散分布的微观组织。离子强度越高，导致纳米复合材料颗粒越细小。然而不良的氯离子又会导致在接触表面不稳定，可以通过使用锡元素代替SnCl2?2H2O作为初始材料而消除。但随之而来的又是聚集程度的降低。结果显示，增加过度饱和的环境可以提高晶核形成，因此可以使纳米复合颗粒的大小减小到50%。 银金属氧化物复合触头材料广泛应用于各种低压开关。例如，继电器，接触器和断路器[1– 4 ]。直到三十几年前，由于其优良的功能和技术性能，Ag-CdO复合材料成为这一应用的首选材料。然而，由于镉具有毒性，特别是当它蒸发的时候，对此人们已作出相当大的努力使用其他环保材料来取代它，例如Ag-SnO2 [ 2-9]。相比于Ag -CdO材料，AgSnO2除了具有优良的抗电弧侵蚀性和焊接性能外，还具有更高的硬度、接触电阻和温升[10-12]。 生产Ag-SnO2材料有不同的方法[ 13 ]，如粉末冶金、铸造和化学法。最近，因为经济上可行性、颗粒的均匀分布和可能达到纳米粉体的可能性，化学共沉淀法已被广泛用于合成